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NXP - BUK9508-55B - 场效应管 MOSFET N沟道 55V 75A TO-220AB NXP - BUK9508-55B - 场效应管 MOSFET N沟道 55V 75A TO-220AB
  • 晶体管极性:N Channel
  • 漏极电流, Id 最大值:110A
  • 电压, Vds 最大:55V
  • 开态电阻, Rds(on):6.2mohm
  • 电压 @ Rds测量:10V
  • 电压, Vgs 最高:15V
  • 功耗:203W
  • 工作温度范围:-55°C to +175°C
  • 封装类型:TO-220AB
  • 封装类型:TO-220AB
  • 晶体管类型:MOSFET
  • 电压 Vgs @ Rds on 测量:10V
  • 电压, Vds 典型值:55V
  • 电流, Id 连续:25A
  • 表面安装器件:通孔安装
  • 阈值电压, Vgs th 典型值:1.5V
  • 停产 1 1 询价,无需注册 订购
    NUMONYX - M29DW323DT70ZE6E - 芯片 闪存 或非型 32MB 顶部引导 48TFBGA NUMONYX - M29DW323DT70ZE6E - 芯片 闪存 或非型 32MB 顶部引导 48TFBGA
  • 存储器类型:Flash
  • 存储器配置:4M x 8bit or 2M x 16bit
  • 封装类型:TFBGA
  • 针脚数:48
  • 工作温度范围:-40°C to +85°C
  • 封装类型:TFBGA
  • 存储器容量:32Mbit
  • 存储器电压 Vcc:3V
  • 扇区类型:顶部引导
  • 电源电压 最大:3.6V
  • 电源电压 最小:2.7V
  • 表面安装器件:表面安装
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    NUMONYX - M29DW323DB70ZE6E - 芯片 闪存 或非型 32MB 底部引导 48TFBGA NUMONYX - M29DW323DB70ZE6E - 芯片 闪存 或非型 32MB 底部引导 48TFBGA
  • 存储器类型:Flash
  • 存储器配置:4M x 8bit or 2M x 16bit
  • 封装类型:TFBGA
  • 针脚数:48
  • 工作温度范围:-40°C to +85°C
  • 封装类型:TFBGA
  • 存储器容量:32Mbit
  • 存储器电压 Vcc:3V
  • 扇区类型:底部引导
  • 电源电压 最大:3.6V
  • 电源电压 最小:2.7V
  • 表面安装器件:表面安装
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    NUMONYX - M29W320ET70ZE6E - 芯片 闪存 或非型 32MB 顶部引导 48TFBGA NUMONYX - M29W320ET70ZE6E - 芯片 闪存 或非型 32MB 顶部引导 48TFBGA
  • 存储器类型:Flash
  • 存储器配置:4M x 8bit or 2M x 16bit
  • 封装类型:TFBGA
  • 针脚数:48
  • 工作温度范围:-40°C to +85°C
  • 封装类型:TFBGA
  • 存储器容量:32Mbit
  • 存储器电压 Vcc:3V
  • 扇区类型:顶部引导
  • 电源电压 最大:3.6V
  • 电源电压 最小:2.7V
  • 表面安装器件:表面安装
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    NUMONYX - M29W320EB70ZE6E - 芯片 闪存 或非型 32MB 底部引导 48TFBGA NUMONYX - M29W320EB70ZE6E - 芯片 闪存 或非型 32MB 底部引导 48TFBGA
  • 存储器类型:Flash
  • 存储器配置:4M x 8bit or 2M x 16bit
  • 封装类型:TFBGA
  • 针脚数:48
  • 工作温度范围:-40°C to +85°C
  • 封装类型:TFBGA
  • 存储器容量:32Mbit
  • 存储器电压 Vcc:3V
  • 扇区类型:底部引导
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    NUMONYX - M29W320EB70N6E - 芯片 闪存 或非型 32MB 底部引导 48TSOP NUMONYX - M29W320EB70N6E - 芯片 闪存 或非型 32MB 底部引导 48TSOP
  • 存储器类型:Flash
  • 存储器配置:4M x 8bit or 2M x 16bit
  • 封装类型:TSOP
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  • 封装类型:TSOP
  • 存储器容量:32Mbit
  • 存储器电压 Vcc:3V
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    NUMONYX - M29W160ET70ZA6E - 芯片 闪存 或非型 16MB 顶部引导 48TFBGA NUMONYX - M29W160ET70ZA6E - 芯片 闪存 或非型 16MB 顶部引导 48TFBGA
  • 存储器类型:Flash
  • 存储器配置:2M x 8bit or 1M x 16bit
  • 封装类型:TFBGA
  • 针脚数:48
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  • 封装类型:TFBGA
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    NUMONYX - M29W160ET70N6E - 芯片 闪存 或非型 16MB 顶部引导 48TSOP NUMONYX - M29W160ET70N6E - 芯片 闪存 或非型 16MB 顶部引导 48TSOP
  • 存储器类型:Flash
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  • 封装类型:TSOP
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    NUMONYX - M29W160EB70ZA6E - 芯片 闪存 或非型 16MB 底部引导 48TFBGA NUMONYX - M29W160EB70ZA6E - 芯片 闪存 或非型 16MB 底部引导 48TFBGA
  • 存储器类型:Flash
  • 存储器配置:2M x 8bit or 1M x 16bit
  • 封装类型:TFBGA
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  • 工作温度范围:-40°C to +85°C
  • 封装类型:TFBGA
  • 存储器容量:16Mbit
  • 存储器电压 Vcc:3V
  • 扇区类型:底部引导
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    NUMONYX - M29W800DT70ZE6E - 芯片 闪存 或非型 8MB 顶部引导 48TFBGA NUMONYX - M29W800DT70ZE6E - 芯片 闪存 或非型 8MB 顶部引导 48TFBGA
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  • 存储器配置:1M x 8bit
  • 封装类型:TFBGA
  • 针脚数:48
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  • 封装类型:TFBGA
  • 存储器容量:8Mbit
  • 存储器电压 Vcc:3V
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  • 接口类型:CFI
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    NUMONYX - M29W800DT45ZE6E - 芯片 闪存 或非型 8MB 顶部引导 48TFBGA NUMONYX - M29W800DT45ZE6E - 芯片 闪存 或非型 8MB 顶部引导 48TFBGA
  • 存储器类型:Flash
  • 存储器配置:1M x 8bit
  • 封装类型:TFBGA
  • 针脚数:48
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  • 封装类型:TFBGA
  • 存储器容量:8Mbit
  • 存储器电压 Vcc:3V
  • 扇区类型:顶部引导
  • 接口类型:CFI
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    NUMONYX - M29W800DT45N6E - 芯片 闪存 或非型 8MB 顶部引导 48TSOP NUMONYX - M29W800DT45N6E - 芯片 闪存 或非型 8MB 顶部引导 48TSOP
  • 存储器类型:Flash
  • 存储器配置:1M x 8bit
  • 封装类型:TSOP
  • 针脚数:48
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  • 封装类型:TSOP
  • 存储器容量:8Mbit
  • 存储器电压 Vcc:3V
  • 扇区类型:顶部引导
  • 接口类型:CFI
  • 电源电压 最大:3.6V
  • 电源电压 最小:2.7V
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    NUMONYX - M29W800DB70ZE6E - 芯片 闪存 或非型 8MB 底部引导 48TFBGA NUMONYX - M29W800DB70ZE6E - 芯片 闪存 或非型 8MB 底部引导 48TFBGA
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  • 存储器配置:1M x 8bit
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  • 存储器容量:8Mbit
  • 存储器电压 Vcc:3V
  • 扇区类型:底部引导
  • 接口类型:CFI
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    NUMONYX - M29W800DB70N6E - 芯片 闪存 或非型 8MB 底部引导 48TSOP NUMONYX - M29W800DB70N6E - 芯片 闪存 或非型 8MB 底部引导 48TSOP
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  • 存储器配置:1M x 8bit
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    NUMONYX - M29W800DB45N6E - 芯片 闪存 或非型 8MB 底部引导 48TSOP NUMONYX - M29W800DB45N6E - 芯片 闪存 或非型 8MB 底部引导 48TSOP
  • 存储器类型:Flash
  • 存储器配置:1M x 8bit
  • 封装类型:TSOP
  • 针脚数:48
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  • 封装类型:TSOP
  • 存储器容量:8Mbit
  • 存储器电压 Vcc:3V
  • 扇区类型:底部引导
  • 接口类型:CFI
  • 电源电压 最大:3.6V
  • 电源电压 最小:2.7V
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