国内专业的IC销售商 --中其伟业科技有限公司
简体中文

正向电压 Vf 最大

  • 1.3V
  • 1.2V

针脚数

  • 3
  • 10
  • 18
  • 4
  • 2
  • 8

正向电流 If

  • 35μA
  • 18μA

引脚节距

  • 7.4mm
  • 5.08mm
  • 2.5mm
  • 5.1mm
  • 3.0mm
  • 1.27mm
  • 12.5mm
  • 5.0mm
  • 2.0mm
  • 5mm
  • 2.54mm

引线长度

  • 5.0mm
  • 14.75mm
  • 130mm
  • 12mm
  • 26.3mm
  • 10.42mm
  • 13mm
  • 19.05mm
  • 12.7mm
  • 10.5mm
  • 9mm
  • 20mm
  • 26.5mm

下降时间

  • 6μs
  • 0.35μs
  • 0.001μs
  • 0.01μs
  • 25ns
  • 0.05μs
  • 0.002μs
  • 100ns
  • 5ns
  • 0.004μs
  • 2.5ns
  • 0.005μs
  • 0.5ns
  • 3.5μs
  • 7.5ns

外宽

  • 8mm
  • 15.0mm
  • 4.6mm
  • 4.7mm
  • 5.1mm
  • 8.9mm
  • 7.87mm
  • 10.665mm
  • 5mm
  • 8.80mm
  • 4.5mm
  • 14.5mm
  • 2.04mm
  • 11.4mm
  • 6.0mm
  • 8.0mm
  • 4.4mm
  • 10.1mm

外部深度

  • 6.45mm
  • 2.8mm
  • 6.0mm
  • 5.0mm

外径

  • 9.1mm
  • 5.4mm
  • 5.41mm
  • 8mm
  • 5mm
  • 8.25mm

外部深度

  • 25.4mm
  • 4.1mm
  • 1.8mm
  • 1.26mm
  • 8.9mm
  • 10.2mm
  • 2.3mm
  • 5.1mm
  • 2.28mm
  • 5mm
  • 7.62mm
  • 2.21mm
  • 2.2mm
  • 4.0mm
  • 10.4mm
  • 2.15mm
  • 3.4mm
  • 2.6mm
  • 4mm
  • 19.3mm

外部长度/高度

  • 3.9mm
  • 10.6mm
  • 4mm
  • 6mm
  • 1.6mm
  • 7.67mm
  • 4.6mm
  • 4.195mm
  • 9mm
  • 2.0mm
  • 2.16mm
  • 16.5mm
  • 5.71mm
  • 6.8mm
  • 1.3mm
  • 5.1mm
  • 5.7mm
  • 3.6mm
  • 3.7mm
  • 4.2mm
  • 3mm
  • 1.1mm
  • 8.6mm
  • 10.2mm
  • 1.5mm
  • 1.8mm

外部长度/高度

  • 4.3mm
  • 2.5mm
  • 3.89mm
  • 2.92mm
  • 1.15mm
  • 22.86mm
  • 10.1mm

输出电流 最大

  • 18mA
  • 10mA

输出电流 最大

  • 10mA
  • 25mA

上升时间

  • 70ns
  • 0.002μs
  • 15μs
  • 50μs
  • 7μs
  • 3.5μs
  • 0.05ns
  • 0.004μs
  • 0.001μs
  • 10μs
  • 75μs
  • 0.5μs
  • 2.5μs
  • 0.01μs
  • 90μs
  • 2.5ns
  • 15μs
  • 6ns
  • 200ns
  • 25ns
  • 500ns
  • 15ns
  • 0.05μs
  • 7.5ns
  • 4μs
  • 20ns
  • 260μs
  • 100ns
  • 0.5ns
  • 5ns
  • 60ns
  • 1μs
  • 50ns
  • 0.35μs
  • 0.005μs
  • 3μs

频谱范围最大

  • 510nm
  • 400nm
  • 560nm
  • 1100nm
  • 570nm
  • 780nm
  • 720nm
  • 700nm

频谱范围最小

  • 330nm
  • 430nm
  • 245nm
  • 350nm
  • 700nm
  • 620nm
  • 750nm
  • 190nm
  • 400nm
  • 490nm

灵敏度

  • 0.12 A/W
  • 700nm-800nm
  • 77A/W
  • 0.62A/W
  • 0.3A/W
  • 0.72A/W
  • 430μW/cm2
  • 14.6μW/cm2
  • 0.5 A/W
  • 0.6A/W @ 850nm
  • 5V/μWmm2
  • 220μW/cm2
  • 0.64A/W
  • 860mV/μW/cm2
  • 0.58A/W
  • 0.45A/W
  • 0.57A/W
  • 0.52A/W
  • 0.6A/W @ 950nm
  • 11μW/cm2
  • 0.62A/W @ 850nm
  • 0.5A/W
  • 0.7 A/W
  • 0.55A/W
  • 0.42 A/W
  • 0.6A/W
  • 75nA/lx @ 850nm
  • 0.14 A/W
  • 0.07 A/W
  • 196μW/cm2
  • 0.59A/W @ 850nm
  • 7nA/lux

灵敏度阈值, 最大

  • 0.62A/W @ 850nm
  • 1150nm

开路电压

  • 0.4V
  • 450mV
  • 370V
  • 350mV
图片 型号 产品描述 库存状况 包装规格 单位价格
(不含税)
数量
SILONEX - SLCD-61N5 - 光电二极管 平面型 SILONEX - SLCD-61N5 - 光电二极管 平面型
  • 波长, 典型值:930nm
  • 灵敏度:0.55A/W
  • 半角:60°
  • 暗电流:3.3μA
  • 工作温度范围:-40°C to +125°C
  • 击穿电压:20V
  • 外部深度:10.2mm
  • 外部长度/高度:10.2mm
  • 波长峰值:930.00nm
  • 电压, Vr 最高:20V
  • 二极管类型:光电二极管芯片
  • 封装类型:矩形
  • 开路电压:0.4V
  • 活性区面积:93.60mm2
  • 短路电流:4mA
  • 上海 0
    新加坡 0
    英国20
    1 1 询价,无需注册 订购
    SILONEX - SLCD-61N4 - 光电二极管 平面型 SILONEX - SLCD-61N4 - 光电二极管 平面型
  • 波长, 典型值:930nm
  • 灵敏度:0.55A/W
  • 半角:60°
  • 暗电流:5μA
  • 工作温度范围:-40°C to +125°C
  • 击穿电压:20V
  • ??部深度:25.4mm
  • 外部长度/高度:2.5mm
  • 波长峰值:930.00nm
  • 电压, Vr 最高:20V
  • 二极管类型:光电二极管芯片
  • 封装类型:矩形
  • 开路电压:0.4V
  • 活性区面积:45.20mm2
  • 短路电流:2.3mA
  • 上海 0
    新加坡 0
    英国69
    1 1 询价,无需注册 订购
    SILONEX - SLCD-61N3 - 光电二极管 平面型 SILONEX - SLCD-61N3 - 光电二极管 平面型
  • 波长, 典型值:930nm
  • 灵敏度:0.55A/W
  • 半角:60°
  • 暗电流:1.7μA
  • 工作温度范围:-40°C to +125°C
  • 击穿电压:20V
  • 外部深度:10.2mm
  • 外部长度/高度:5.1mm
  • 波长峰值:930.00nm
  • 电压, Vr 最高:20V
  • 二极管类型:光电二极管芯片
  • 封装类型:矩形
  • 开路电压:0.4V
  • 活性区面积:45.90mm2
  • 短路电流:2.1mA
  • 上海 0
    新加坡 0
    英国12
    1 1 询价,无需注册 订购
    SILONEX - SLCD-61N2 - 光电二极管 平面型 SILONEX - SLCD-61N2 - 光电二极管 平面型
  • 波长, 典型值:930nm
  • 灵敏度:0.55A/W
  • 半角:60°
  • 暗电流:3.3μA
  • 工作温度范围:-40°C to +105°C
  • 击穿电压:20V
  • 外部深度:5.1mm
  • 外部长度/高度:5.1mm
  • 波长峰值:930.00nm
  • 电压, Vr 最高:20V
  • 二极管类型:光电二极管芯片
  • 封装类型:矩形
  • 开路电压:0.4V
  • 活性区面积:21.40mm2
  • 短路电流:1.2mA
  • 上海 0
    新加坡 0
    英国718
    1 1 询价,无需注册 订购
    SILONEX - SLCD-61N1 - 光电二极管 平面型 SILONEX - SLCD-61N1 - 光电二极管 平面型
  • 波长, 典型值:930nm
  • 灵敏度:0.55A/W
  • 半角:60°
  • 暗电流:1.7μA
  • 工作温度范围:-40°C to +125°C
  • 击穿电压:20V
  • 外部深度:5.1mm
  • 外部长度/高度:2.5mm
  • 波长峰值:930.00nm
  • 电压, Vr 最高:20V
  • 二极管类型:光电二极管芯片
  • 封装类型:矩形
  • 开路电压:0.4V
  • 活性区面积:10.40mm2
  • 短路电流:0.5mA
  • 上海 0
    新加坡 0
    英国729
    1 1 询价,无需注册 订购
    IPL (INTEGRATED PHOTOMATRIX) - IPL10530DAW - 光电二极管 平顶透镜幅度 IPL (INTEGRATED PHOTOMATRIX) - IPL10530DAW - 光电二极管 平顶透镜幅度
  • 灵敏度:860mV/μW/cm2
  • 半角:86°
  • 波长峰值:900.00nm
  • 3dB频率:65kHz
  • 二极管类型:信号放大光电二极管
  • 封装类型:TO-5
  • 波长, 频谱响应峰值:900nm
  • 活性区面积:1.75mm2
  • 电源电压 最大:36V
  • 电源电压 最小:4V
  • 停产 1 1 询价,无需注册 订购
    IPL (INTEGRATED PHOTOMATRIX) - IPL10040DW - 光电二极管 IPL (INTEGRATED PHOTOMATRIX) - IPL10040DW - 光电二极管
  • 灵敏度:0.5A/W
  • 半角:100°
  • 暗电流:7nA
  • 工作温度范围:-40°C to +70°C
  • 上升时间:0.01μs
  • 击穿电压:60V
  • 外径:8.25mm
  • 外部长度/高度:3.9mm
  • 波长峰值:800.00nm
  • 电压, Vr 最高:20V
  • 下降时间:0.01μs
  • 二极管类型:光电二极管
  • 封装类型:TO-5
  • 波长, 频谱响应峰值:900nm
  • 活性区面积:5.5mm2
  • 停产 1 1 询价,无需注册 订购
    IPL (INTEGRATED PHOTOMATRIX) - IPL10020BW - 光电二极管 IPL (INTEGRATED PHOTOMATRIX) - IPL10020BW - 光电二极管
  • 灵敏度:0.5A/W
  • 半角:50°
  • 上升时间:0.004μs
  • 波长峰值:800.00nm
  • 下降时间:0.004μs
  • 二极管类型:光电二极管
  • 封装类型:TO-18
  • 引脚节距:2.5mm
  • 波长, 频谱响应峰值:900nm
  • 活性区面积:0.66mm2
  • 无库存 1 1 询价,无需注册 订购
    IPL (INTEGRATED PHOTOMATRIX) - IPL10530HAL - 光电二极管 放大型 IPL (INTEGRATED PHOTOMATRIX) - IPL10530HAL - 光电二极管 放大型
  • 灵敏度:5V/μWmm2
  • 半角:10°
  • 工作温度范围:-20°C to +85°C
  • 上升时间:1μs
  • 波长峰值:900.00nm
  • 3dB频率:35kHz
  • 二极管类型:信号放大光电二极管
  • 封装类型:TO-5
  • 波长, 频谱响应峰值:900nm
  • 活性区面积:1.75mm2
  • 电源电压 最大:36V
  • 电源电压 最小:14V
  • 停产 1 1 询价,无需注册 订购
    IPL (INTEGRATED PHOTOMATRIX) - IPL10530DAL - 光电二极管 圆顶透镜幅度 IPL (INTEGRATED PHOTOMATRIX) - IPL10530DAL - 光电二极管 圆顶透镜幅度
  • 灵敏度:860mV/μW/cm2
  • 半角:27°
  • 波长峰值:900.00nm
  • 3dB频率:65kHz
  • 二极管类型:信号放大光电二极管
  • 封装类型:TO-5
  • 波长, 频谱响应峰值:900nm
  • 活性区面积:1.75mm2
  • 电源电压 最大:36V
  • 电源电压 最小:4V
  • 无库存 1 1 询价,无需注册 订购
    EPIGAP - EPD-740-5/0.5 - 光电二极管选择性 EPIGAP - EPD-740-5/0.5 - 光电二极管选择性
  • 波长, 典型值:740nm
  • 灵敏度:0.5 A/W
  • 半角:20°
  • 暗电流:0.2nA
  • 针脚数:2
  • 工作温度范围:-40°C to +85°C
  • 上升时间:15ns
  • 波长峰值:740nm
  • 电压, Vr 最高:10V
  • 二极管类型:光电二极管
  • 封装类型:5mm塑料
  • 活性区面积:0.13mm2
  • 频谱范围最大:780nm
  • 频谱范围最小:700nm
  • 停产 1 1 询价,无需注册 订购
    EPIGAP - EPD-660-5/0.5 - 光电二极管选择性 EPIGAP - EPD-660-5/0.5 - 光电二极管选择性
  • 波长, 典型值:660nm
  • 灵敏度:0.42 A/W
  • 半角:40°
  • 暗电流:0.2nA
  • 针脚数:2
  • 工作温度范围:-40°C to +85°C
  • 上升时间:15ns
  • 波长峰值:660nm
  • 电压, Vr 最高:10V
  • 二极管类型:光电二极管
  • 封装类型:5mm塑料
  • 活性区面积:0.13mm2
  • 频谱范围最大:700nm
  • 频谱范围最小:620nm
  • 上海 0
    新加坡14
    英国207
    1 1 询价,无需注册 订购
    EPIGAP - EPD-520-5/0.5 - 光电二极管选择性 EPIGAP - EPD-520-5/0.5 - 光电二极管选择性
  • 波长, 典型值:525nm
  • 灵敏度:0.14 A/W
  • 半角:20°
  • 暗电流:0.05nA
  • 针脚数:2
  • 波长峰值:525nm
  • 电压, Vr 最高:10V
  • 二极管类型:光电二极管
  • 封装类型:5mm塑料
  • 活性区面积:0.13mm2
  • 频谱范围最大:560nm
  • 频谱范围最小:490nm
  • 上海 0
    新加坡9
    英国 0
    1 1 询价,无需注册 订购
    EPIGAP - EPD-470-5/0.5 - 光电二极管选择性 EPIGAP - EPD-470-5/0.5 - 光电二极管选择性
  • 波长, 典型值:470nm
  • 灵敏度:0.12 A/W
  • 半角:20°
  • 暗电流:0.05nA
  • 针脚数:2
  • 工作温度范围:-40°C to +85°C
  • 上升时间:200ns
  • 击穿电压:10V
  • 波长峰值:470nm
  • 电压, Vr 最高:10V
  • 二极管类型:光电二极管
  • 封装类型:5mm塑料
  • 活性区面积:0.13mm2
  • 频谱范围最大:510nm
  • 频谱范围最小:430nm
  • 上海 0
    新加坡5
    英国163
    1 1 询价,无需注册 订购
    EPIGAP - EPD-440-0/1.45 - 光电二极管UV EPIGAP - EPD-440-0/1.45 - 光电二极管UV
  • 波长, 典型值:440nm
  • 灵敏度:0.12 A/W
  • 暗电流:0.02nA
  • 针脚数:2
  • 工作温度范围:-40°C to +125°C
  • 上升时间:0.05ns
  • 击穿电压:5V
  • 波长峰值:440nm
  • 电压, Vr 最高:10V
  • 二极管类型:光电二极管
  • 封装类型:TO-46
  • 活性区面积:1.2mm2
  • 结温, Tj 最低:-40°C
  • 结温, Tj 最高:125°C
  • 频谱范围最大:570nm
  • 频谱范围最小:190nm
  • 上海 0
    新加坡 0
    英国3
    1 1 询价,无需注册 订购
    共 8 页 | 第 7 页 |  首页 上一页 下一页 尾页