| SANYO - MCH6412-TL-E - 场效应管 MOSFET N沟道 30V 5A MCPH6 |
晶体管极性:N
漏极电流, Id 最大值:5A
电压, Vds 最大:30V
开态电阻, Rds(on):41mohm
电压 @ Rds测量:4V
电压, Vgs 最高:10V
功耗:1.5W
工作温度范围:-55°C to +150°C
封装类型:SC-88
针脚数:6
封装类型:SC-88
晶体管类型:Switching
电压 Vgs @ Rds on 测量:4V
电压, Vds 典型值:30V
电流, Id 连续:5A
表面安装器件:表面安装
阈值电压, Vgs th 典型值:1.3V
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| FAIRCHILD SEMICONDUCTOR - HGTG20N60C3D - 晶体管 IGBT N型 |
晶体管类型:IGBT
集电极直流电流:45A
饱和电压, Vce sat 最大:1.8V
最大功耗:164W
电压, Vceo:600V
封装类型:TO-247
针脚数:3
功耗:164W
封装类型:TO-247
晶体管极性:N Channel
最大连续电流, Ic:300A
电压, Vces:600V
表面安装器件:通孔安装
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