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L1117L-3.3  原装现货NIKO-SEM 现货 封装:TO223 批号:0403+ 面议 删除
SEMTECH - SRDA05-6T - 二极管 TVS 5V  二极管类型:TVS 钳位电压 最大:20V 工作电压:1.5V 针脚数:8 封装类型:SOIC 工作温度范围:-55°C to +125°C 表面安装器件:表???安装 击穿电压 最小:6V 封装形式:SOIC 截止电压:5V 电压 Vbr:6V 电容, Cd典型值 @ Vr:4pF 脉冲峰值功率:500W 钳位电压, 8/20us 最大:20V 上海 0 新加坡 0 英国25 1 1 删除
M14763H62  原装现货ROSH原厂 现货 封装:PDF资料 批号:0715+ 面议 删除
BOURNS - H-506-1/4 - 计数转盘 15转  附件类型:Turns Counting Dial 用于:Precision Potentiometers / Rotating Devices upto 15 turns 轴直径:6.35mm 圈数:15 SVHC(高度关注物质):No SVHC (18-Jun-2010) 上海 0 新加坡100 英国156 1 1 删除
200GP-034GB  原装现货原厂原装 现货 封装:参考PDF 批号:0802+ 面议 删除
M1471  原装现货 现货 封装: 批号:2005+ 面议 删除
18125C474KATMA  原装现货AVX 现货 封装: 批号:07+/ 08+ 面议 删除
ADG714BRUZ-REEL7 (p/b)  原装现货AD 现货 封装:TSSOP-24P 批号:07+ 面议 删除
SANYO - ECH8618-TL-E - 场效应管 双MOSFET NN沟道 100V 2A ECH8  晶体管极性:Dual N Channel 漏极电流, Id 最大值:2A 电压, Vds 最大:100V 开态电阻, Rds(on):260mohm 电压 @ Rds测量:10V 阈值电压, Vgs th 典型值:2.6V 功耗:1.5W 工作温度范围:-55°C to +150°C 封装类型:ECH8 针脚数:8 封装类型:ECH8 晶体管类型:Switching 表面安装器件:表面安装 电压 Vgs @ Rds on 测量:10V 电压, Vds 典型值:100V 电压, Vgs 最高:20V 电流, Id 连续:1A 上海 0 新加坡 0 英国90 1 1 删除
U4062BCFSG3  原装现货最新原厂 现货 封装:PDF 批号:08+ 面议 删除
L1117LV  原装 现货   面议 删除
30127D6854.11341U1  原装现货进口原装 现货 封装:PDF 批号:0721+ 面议 删除
SANYO - EFC4606-TR - 场效应管 MOSFET N沟道 24V 6A EFCP  模块配置:Dual Series N Channel 晶体管极性:N 漏极电流, Id 最大值:6A 电压, Vds 最大:24V 开态电阻, Rds(on):38mohm 电压 @ Rds测量:4.5V 阈值电压, Vgs th 典型值:1.3V 功耗:1.6W 封装类型:EFCP 封装类型:EFCP 晶体管类型:MOSFET 表面安装器件:表面安装 电压 Vgs @ Rds on 测量:4.5V 电压, Vds 典型值:24V 电流, Id 连续:6A 上海 0 新加坡 0 英国90 1 1 删除
734620001  原装现货 现货 封装: 批号:2005+ 面议 删除
301272U7R5L042E  原装现货 现货 封装: 批号:全新 面议 删除
LITTELFUSE - V5.5MLA0402NR - Varistor  Varistor Suppressor Type:Tran 美国 0 上海 0 美国7680 新加坡2000 1 1 删除
RENESAS - 2SJ221-E - 场效应管 MOSFET P TO-220  晶体管极性:P沟道 电压, Vds 最大:100V 开态电阻, Rds(on):0.22ohm 功耗:75W 封装类型:TO-220AB 针脚数:3 功率, Pd:75W 封装类型:TO-220AB 引脚节距:2.54mm 晶体管数:1 晶体管类型:MOSFET 温度 @ 电流测量:25°C 满功率温度:25°C 电压 Vgs @ Rds on 测量:-10V 电压, Vds 典型值:-100V 电流, Id 连续:20A 电流, Idm 脉冲:80A 表面安装器件:通孔安装 阈值电压, Vgs th 典型值:-2V 阈值电压, Vgs th 最高:-2V 停产 1 1 删除