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NXP - BLF175 - 场效应管 MOSFET VHF SOT123  晶体管类型:MOSFET 电压, Vds 最大:125V 电流, Id 连续:4A 最大功耗:68W 封装类型:SOT-123 截止频率 ft, 典型值:32MHz 晶体管数:1 晶体管极性:N 热阻, 结至外壳 A:2.6°C/W 针脚格式:D(1), S(2&4), G(3) 功率, Pd:68W 器件标号:1 封装类型:SOT-123 应用代码:RFPOWMOS 开态电阻, Rds(on):0.75ohm 电压 Vgs @ Rds on 测量:10V 电压, Vds 典型值:125V 电流, Idss 最大:0.1mA 通态电阻, Rds on 最大:1.5ohm 阈值电压, Vgs th 典型值:4.5V 阈值电压, Vgs th 最低:2V 阈值电压, Vgs th 最高:4.5V 上海 0 新加坡 0 英国30 1 1 删除