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SEMELAB - BUZ900 - 场效应管 MOSFET N TO-3

SEMELAB - BUZ900 - 场效应管 MOSFET N TO-3
制造商:SEMELAB
库存编号:
制造商编号:BUZ900
库存状态:上海 0 , 新加坡3, 英国818
包装规格:1
最小订单量:1
多重订单量:1
单位价格(不含税):CNY 114.96
价格:
数量 单位价格(不含税)
1  - 24 CNY 114.96
25  - 99 CNY 82.76
100+  CNY 65.01

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描述信息:
  • 晶体管极性:N沟道
  • 漏极电流, Id 最大值:8A
  • 电压, Vds 最大:160V
  • 开态电阻, Rds(on):1.5ohm
  • 电压, Vgs 最高:1.5V
  • 功耗:125W
  • 封装类型:TO-3
  • 针脚数:2
  • 功率, Pd:125W
  • 器件标记:BUZ900
  • 封装类型:TO-3
  • 封装类型, 替代:TO-204AA
  • 晶体管数:1
  • 晶体管类型:MOSFET
  • 温度 @ 电流测量:25°C
  • 满功率温度:25°C
  • 电压, Vds 典型值:160V
  • 电流, Id 连续:8A
  • 表面安装器件:通孔安装
  • 阈值电压, Vgs th 典型值:1.5V
产品属性:

重量(公斤):0.0115
原产地:
最近制造加工所发生的国家:

描述信息:
  • 晶体管极性:N沟道
  • 漏极电流, Id 最大值:8A
  • 电压, Vds 最大:160V
  • 开态电阻, Rds(on):1.5ohm
  • 电压, Vgs 最高:1.5V
  • 功耗:125W
  • 封装类型:TO-3
  • 针脚数:2
  • 功率, Pd:125W
  • 器件标记:BUZ900
  • 封装类型:TO-3
  • 封装类型, 替代:TO-204AA
  • 晶体管数:1
  • 晶体管类型:MOSFET
  • 温度 @ 电流测量:25°C
  • 满功率温度:25°C
  • 电压, Vds 典型值:160V
  • 电流, Id 连续:8A
  • 表面安装器件:通孔安装
  • 阈值电压, Vgs th 典型值:1.5V