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SANYO - ECH8618-TL-E - 场效应管 双MOSFET NN沟道 100V 2A ECH8

SANYO - ECH8618-TL-E - 场效应管 双MOSFET NN沟道 100V 2A ECH8
制造商:SANYO
库存编号:
制造商编号:ECH8618-TL-E
库存状态:上海 0 , 新加坡 0 , 英国90
包装规格:1
最小订单量:1
多重订单量:1
单位价格(不含税):CNY 11.56
价格:
数量 单位价格(不含税)
1  - 24 CNY 11.56
25  - 99 CNY 9.79
100  - 249 CNY 7.90
250  - 499 CNY 6.67
500+  CNY 5.67

订购
描述信息:
  • 晶体管极性:Dual N Channel
  • 漏极电流, Id 最大值:2A
  • 电压, Vds 最大:100V
  • 开态电阻, Rds(on):260mohm
  • 电压 @ Rds测量:10V
  • 阈值电压, Vgs th 典型值:2.6V
  • 功耗:1.5W
  • 工作温度范围:-55°C to +150°C
  • 封装类型:ECH8
  • 针脚数:8
  • 封装类型:ECH8
  • 晶体管类型:Switching
  • 表面安装器件:表面安装
  • 电压 Vgs @ Rds on 测量:10V
  • 电压, Vds 典型值:100V
  • 电压, Vgs 最高:20V
  • 电流, Id 连续:1A
产品属性:

重量(公斤):0.00002
原产地:
最近制造加工所发生的国家:

描述信息:
  • 晶体管极性:Dual N Channel
  • 漏极电流, Id 最大值:2A
  • 电压, Vds 最大:100V
  • 开态电阻, Rds(on):260mohm
  • 电压 @ Rds测量:10V
  • 阈值电压, Vgs th 典型值:2.6V
  • 功耗:1.5W
  • 工作温度范围:-55°C to +150°C
  • 封装类型:ECH8
  • 针脚数:8
  • 封装类型:ECH8
  • 晶体管类型:Switching
  • 表面安装器件:表面安装
  • 电压 Vgs @ Rds on 测量:10V
  • 电压, Vds 典型值:100V
  • 电压, Vgs 最高:20V
  • 电流, Id 连续:1A