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STMICROELECTRONICS - STD13NM60N - 场效应管 MOSFET N沟道 600V 11A DPAK

STMICROELECTRONICS - STD13NM60N - 场效应管 MOSFET N沟道 600V 11A DPAK
制造商:STMICROELECTRONICS
库存编号:
制造商编号:STD13NM60N
库存状态:上海 0 , 新加坡 0 , 英国2265
包装规格:1
最小订单量:1
多重订单量:1
单位价格(不含税):CNY 27.90
价格:
数量 单位价格(不含税)
1  - 24 CNY 27.90
25  - 99 CNY 21.90
100  - 249 CNY 17.60
250+  CNY 16.40

订购
描述信息:
  • 晶体管极性:N Channel
  • 开态电阻, Rds(on):0.28ohm
  • 工作温度范围:-55°C to +150°C
  • 封装类型:DPAK
  • 封装类型:DPAK
  • 晶体管类型:Power MOSFET
  • 电压 Vgs @ Rds on 测量:10V
  • 电压, Vds 典型值:600V
  • 电流, Id 连续:5.5A
  • 表面安装器件:表面安装
  • 阈值电压, Vgs th 典型值:3V
产品属性:

重量(公斤):0.00143
原产地:
最近制造加工所发生的国家:

描述信息:
  • 晶体管极性:N Channel
  • 开态电阻, Rds(on):0.28ohm
  • 工作温度范围:-55°C to +150°C
  • 封装类型:DPAK
  • 封装类型:DPAK
  • 晶体管类型:Power MOSFET
  • 电压 Vgs @ Rds on 测量:10V
  • 电压, Vds 典型值:600V
  • 电流, Id 连续:5.5A
  • 表面安装器件:表面安装
  • 阈值电压, Vgs th 典型值:3V