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IXYS RF - IXZ308N120 - 场效应管 MOSFET N RF DE375

IXYS RF - IXZ308N120 - 场效应管 MOSFET N RF DE375
制造商:IXYS RF
库存编号:
制造商编号:IXZ308N120
库存状态:无库存
包装规格:1
最小订单量:1
多重订单量:1
单位价格(不含税):CNY 325.00
价格:
数量 单位价格(不含税)
1  - 9 CNY 325.00
10+  CNY 318.60

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描述信息:
  • 晶体管类型:MOSFET
  • 电压, Vds 最大:1200V
  • 电流, Id 连续:8A
  • 最大功耗:880W
  • 工作温度范围:-55°C to +175°C
  • 封装类型:DE-375
  • 晶体管极性:N
  • 上升时间:5ns
  • 功率, Pd:880W
  • 封装类型:DE-375
  • 开态电阻, Rds(on):2.1ohm
  • 电压 Vgs @ Rds on 测量:20V
  • 电压, Vds 典型值:1200V
  • 电容值, Ciss 典型值:1960pF
  • 阈值电压, Vgs th 典型值:6.5V
产品属性:

重量(公斤):0.003
原产地:
最近制造加工所发生的国家:

描述信息:
  • 晶体管类型:MOSFET
  • 电压, Vds 最大:1200V
  • 电流, Id 连续:8A
  • 最大功耗:880W
  • 工作温度范围:-55°C to +175°C
  • 封装类型:DE-375
  • 晶体管极性:N
  • 上升时间:5ns
  • 功率, Pd:880W
  • 封装类型:DE-375
  • 开态电阻, Rds(on):2.1ohm
  • 电压 Vgs @ Rds on 测量:20V
  • 电压, Vds 典型值:1200V
  • 电容值, Ciss 典型值:1960pF
  • 阈值电压, Vgs th 典型值:6.5V