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最小功率增益 Gp

  • 13dB
  • 33dB

最小增益带宽 ft

  • 175MHz
  • 500MHz

最大功耗

  • 62.5W
  • 68W
  • 3W
  • 31.25W
  • 880W
  • 1.18kW
  • 73W
  • 590W
  • 220W
  • 1.5W
  • 560W
  • 6W
  • 600W
  • 200mW
  • 200W
  • 180W
  • 315W
  • 470W
  • 500W
  • 300W
  • 14W
  • 16W
  • 52.8W

针脚数

  • 3
  • 8

噪声

  • 5.5dB
  • 1dB
  • 2dB

增益

  • 13dB
  • 10dB
  • 15dB
  • 14dB

阈值电压, Vgs th 典型值

  • 3.3V
  • 5V
  • 4.5V
  • 3V
  • 1.2V
  • 4.25V
  • 4V
  • 5.5V
  • 6.5V
  • 4.95V

应用代码

  • RFPOWMOS
  • 双门HFMOSFET

通态电阻, Rds on 最大

  • 0.3ohm
  • 0.75ohm
  • 5ohm
  • 1.5ohm

输出功率

  • 1.5W
  • 3W
  • 8W

上升时间

  • 18ns
  • 12ns
  • 4ns
  • 2ns
  • 13ns
  • 14ns
  • 20ns
  • 5ns
  • 16ns

满功率温度

  • 70°C
  • 25°C
  • 70°C

漏极电流, Id 最大值

  • 18A
  • 6A
  • 1A

开态电阻, Rds(on)

  • 1.5ohm
  • 0.4ohm
  • 0.6ohm
  • 1ohm
  • 0.75ohm
  • 0.2ohm
  • 0.8ohm
  • 1.05ohm
  • 0.44ohm
  • 0.085ohm
  • 0.19ohm
  • 1.9ohm
  • 0.08ohm
  • 0.25ohm
  • 0.12ohm
  • 2.1ohm
  • 0.5ohm
  • 3.3ohm
  • 0.3ohm
  • 0.39ohm

结温, Tj 最高

  • 200°C
  • 150°C

截止频率 ft, 典型值

  • 32MHz
  • 175MHz
  • 28MHz

晶体管极性

  • N Channel
  • N
  • 双 N
  • N沟道

晶体管类型

  • RF FET
  • MOSFET
  • RF MOS
  • HF-VHF功率 MOS

晶体管数

  • 1
  • 2

功耗

  • 500W
  • 68W
  • 62.5W
  • 62.5mW
  • 31.25W
图片 型号 产品描述 库存状况 包装规格 单位价格
(不含税)
数量
NXP - BLF278 - 功率MOSFET N沟道 500W VHF 双管推挽式 NXP - BLF278 - 功率MOSFET N沟道 500W VHF 双管推挽式
  • 晶体管类型:MOSFET
  • 电压, Vds 最大:125V
  • 电流, Id 连续:18A
  • 功耗:500W
  • 封装类型:SOT-262A1
  • 晶体管??性:N
  • 电压, Vds:125V
  • 结温, Tj 最高:200°C
  • 功率, Pd:500W
  • 存储温度, 最低:-65°C
  • 存储温度, 最高:150°C
  • 封装类型:SOT-262A1
  • 开态电阻, Rds(on):0.2ohm
  • 漏极电流, Id 最大值:18A
  • 电压 @ Rds测量:10V
  • 电压 Vgs @ Rds on 测量:10V
  • 电压, Vgs 最高:20V
  • 阈值电压, Vgs th 最低:2V
  • 阈值电压, Vgs th 最高:4.5V
  • 上海 0
    新加坡 0
    英国95
    1 1 询价,无需注册 订购
    FREESCALE SEMICONDUCTOR - MRFG35002N6AT1 - 射频MOSFET PHEMT PLD-1.5 FREESCALE SEMICONDUCTOR - MRFG35002N6AT1 - 射频MOSFET PHEMT PLD-1.5
  • 晶体管类型:RF FET
  • 电压, Vds 最大:8V
  • 电流, Id 连续:1.7A
  • 最大功耗:1.5W
  • 封装类型:PLD-1.5
  • 针脚数:3
  • 功耗:1.5W
  • 增益:10dB
  • 封装类型:PLD-1.5
  • 射频输入功率:22dBm
  • 最高工作频率:5000MHz
  • 栅极-源极电压, Vgs:-5V
  • 电压, Vds:8V
  • 表面安装器件:表面安装
  • 输出功率:1.5W
  • 封装类型:PLD-1.5
  • 上海 0
    新加坡 0
    英国2
    1 1 询价,无需注册 订购
    FREESCALE SEMICONDUCTOR - MRF1517NT1 - 射频MOSFET N PLD-1.5 FREESCALE SEMICONDUCTOR - MRF1517NT1 - 射频MOSFET N PLD-1.5
  • 晶体管类型:RF FET
  • 电压, Vds 最大:25V
  • 电流, Id 连续:4A
  • 最大功耗:62.5W
  • 封装类型:466
  • 针脚数:3
  • 功耗:62.5mW
  • 增益:14dB
  • 封装类型:PLD-1.5
  • 晶体管极性:N
  • 电压, Vds:0.5V
  • 表面安装器件:表面安装
  • 输出功率:8W
  • 封装类型:PLD-1.5
  • 上海 0
    新加坡5
    英国75
    1 1 询价,无需注册 订购
    FREESCALE SEMICONDUCTOR - MRF1513NT1 - 射频MOSFET N PLD-1.5 FREESCALE SEMICONDUCTOR - MRF1513NT1 - 射频MOSFET N PLD-1.5
  • 晶体管类型:RF FET
  • 电压, Vds 最大:40V
  • 电流, Id 连续:2A
  • 最大功耗:31.25W
  • 封装类型:466
  • 针脚数:3
  • 功耗:31.25W
  • 增益:15dB
  • 封装类型:PLD-1.5
  • 晶体管极性:N
  • 电压, Vds:0.65V
  • 表面安装器件:表面安装
  • 输出功率:3W
  • 封装类型:PLD-1.5
  • 上海9
    新加坡 0
    英国36
    1 1 询价,无需注册 订购
    FREESCALE SEMICONDUCTOR - MRF1511NT1 - 射频MOSFET N PLD-1.5 FREESCALE SEMICONDUCTOR - MRF1511NT1 - 射频MOSFET N PLD-1.5
  • 晶体管类型:RF FET
  • 电压, Vds 最大:40V
  • 电流, Id 连续:4A
  • 最大功耗:62.5W
  • 封装类型:466
  • 针脚数:3
  • 功耗:62.5W
  • 增益:13dB
  • 封装类型:PLD-1.5
  • 晶体管极性:N
  • 电压, Vds:0.4V
  • 表面安装器件:表面安装
  • 输出功率:8W
  • 封装类型:PLD-1.5
  • 无库存 1 1 询价,无需注册 订购
    NXP - BLF245 - 场效应管 MOSFET VHF SOT123 NXP - BLF245 - 场效应管 MOSFET VHF SOT123
  • 晶体管类型:MOSFET
  • 电压, Vds 最大:65V
  • 电流, Id 连续:6A
  • 功耗:68W
  • 封装类型:SOT-123
  • 截止频率 ft, 典型值:175MHz
  • 晶体管数:1
  • 晶体管极性:N
  • 针脚格式:D(1), S(2&4), G(3)
  • 功率, Pd:68W
  • 器件标号:1
  • 封装类型:SOT-123
  • 应用代码:RFPOWMOS
  • 开态电阻, Rds(on):0.4ohm
  • 最小功率增益 Gp:33dB
  • 漏极电流, Id 最大值:6A
  • 电压 @ Rds测量:10V
  • 电压 Vgs @ Rds on 测量:10V
  • 电压, Vds 典型值:65V
  • 电压, Vgs 最高:20V
  • 电流, Idss 最大:2mA
  • 通态电阻, Rds on 最大:0.75ohm
  • 阈值电压, Vgs th 典型值:4.5V
  • 阈值电压, Vgs th 最低:2V
  • 阈值电压, Vgs th 最高:4.5V
  • 无库存 1 1 询价,无需注册 订购
    NXP - BLF177 - 场效应管 MOSFET VHF SOT121 NXP - BLF177 - 场效应管 MOSFET VHF SOT121
  • 晶体管类型:MOSFET
  • 电压, Vds 最大:125V
  • 电流, Id 连续:16A
  • 最大功耗:220W
  • 封装类型:SOT-121
  • 截止频率 ft, 典型值:28MHz
  • ???体管数:1
  • 晶体管极性:N
  • 针脚格式:D(1), S(2&4), G(3)
  • 功率, Pd:220W
  • 器件标号:1
  • 封装类型:SOT-121
  • 应用代码:RFPOWMOS
  • 开态电阻, Rds(on):0.2ohm
  • 电压 Vgs @ Rds on 测量:10V
  • 电压, Vds 典型值:125V
  • 电流, Idss 最大:2.5mA
  • 通态电阻, Rds on 最大:0.3ohm
  • 阈值电压, Vgs th 典型值:4.5V
  • 阈值电压, Vgs th 最低:2V
  • 阈值电压, Vgs th 最高:4.5V
  • 上海 0
    新加坡25
    英国306
    1 1 询价,无需注册 订购
    NXP - BLF175 - 场效应管 MOSFET VHF SOT123 NXP - BLF175 - 场效应管 MOSFET VHF SOT123
  • 晶体管类型:MOSFET
  • 电压, Vds 最大:125V
  • 电流, Id 连续:4A
  • 最大功耗:68W
  • 封装类型:SOT-123
  • 截止频率 ft, 典型值:32MHz
  • 晶体管数:1
  • 晶体管极性:N
  • 热阻, 结至外壳 A:2.6°C/W
  • 针脚格式:D(1), S(2&4), G(3)
  • 功率, Pd:68W
  • 器件标号:1
  • 封装类型:SOT-123
  • 应用代码:RFPOWMOS
  • 开态电阻, Rds(on):0.75ohm
  • 电压 Vgs @ Rds on 测量:10V
  • 电压, Vds 典型值:125V
  • 电流, Idss 最大:0.1mA
  • 通态电阻, Rds on 最大:1.5ohm
  • 阈值电压, Vgs th 典型值:4.5V
  • 阈值电压, Vgs th 最低:2V
  • 阈值电压, Vgs th 最高:4.5V
  • 上海 0
    新加坡 0
    英国30
    1 1 询价,无需注册 订购
    NXP - BF991 - 双MOSFET N RF SOT143 NXP - BF991 - 双MOSFET N RF SOT143
  • 晶体管类型:MOSFET
  • 电压, Vds 最大:20V
  • 电流, Id 连续:0.02A
  • 最大功耗:200mW
  • 噪声:1dB
  • 工作温度范围:-65°C to +150°C
  • 封装类型:SOT-143
  • ???体管数:2
  • 晶体管极性:双 N
  • 结温, Tj 最高:150°C
  • 表面安装器件:表面安装
  • 针脚配置:1(S), 2(D), 3(G2),4(G1)
  • SMD标号:M91
  • 功率, Pd:0.2W
  • 封装类型:SOT-143
  • 电压, Vds 典型值:20V
  • 上海 0
    新加坡26
    英国3119
    1 10 询价,无需注册 订购
    NXP - BF904 - 双MOSFET N RF SOT143 NXP - BF904 - 双MOSFET N RF SOT143
  • 晶体管类型:MOSFET
  • 电压, Vds 最大:7V
  • 电流, Id 连续:0.03A
  • 最大功耗:200mW
  • 噪声:2dB
  • 封装类型:SOT-143B
  • 晶体管数:2
  • 晶体管极性:双 N
  • 结温, Tj 最高:150°C
  • 表面安装器件:表面安装
  • 针脚配置:1(S), 2(D), 3(G2),4(G1)
  • SMD标号:MO4
  • 功率, Pd:0.2W
  • 封装类型:SOT-143B
  • 电压, Vds 典型值:7V
  • 阈值电压, Vgs th 典型值:1.2V
  • 上海 0
    新加坡170
    英国634
    1 5 询价,无需注册 订购
    IXYS RF - IXZR16N60A - 场效应管 MOSFET N RF ISOPLUS247 IXYS RF - IXZR16N60A - 场效应管 MOSFET N RF ISOPLUS247
  • 晶体管类型:MOSFET
  • 电压, Vds 最大:600V
  • 电流, Id 连续:18A
  • 封装类型:ISOPLUS-247
  • 晶体管极性:N Channel
  • 表面安装器件:通孔安装
  • 上升时间:4ns
  • 封装类型:ISOPLUS-247
  • 开态电阻, Rds(on):0.44ohm
  • 电压 Vgs @ Rds on 测量:20V
  • 电压, Vds 典型值:600V
  • 电容值, Ciss 典型值:1930pF
  • 阈值电压, Vgs th 典型值:4.25V
  • 无库存 1 1 询价,无需注册 订购
    STMICROELECTRONICS - PD55008L-E - 场效应管 MOSFET RF 8W 500MHZ STMICROELECTRONICS - PD55008L-E - 场效应管 MOSFET RF 8W 500MHZ
  • 晶体管类型:RF MOS
  • 电压, Vds 最大:40V
  • 电流, Id 连续:5A
  • 针脚数:8
  • 外宽:5mm
  • 外部深度:1mm
  • 外部长度/高度:5mm
  • 封装类型:PowerFLAT 5 x 5
  • 晶体管数:1
  • 晶体管极性:N
  • 最小增益带宽 ft:500MHz
  • 表面安装器件:表面安装
  • SMD标号:55008
  • 功率, Pd:19.5W
  • 封装类型:PowerFLAT
  • 满功率温度:70°C
  • 电压, Vds 典型值:40V
  • 阈值电压, Vgs th 典型值:5V
  • 无库存 1 1 询价,无需注册 订购
    STMICROELECTRONICS - PD55003L-E - 场效应管 MOSFET RF 12W 500MHZ STMICROELECTRONICS - PD55003L-E - 场效应管 MOSFET RF 12W 500MHZ
  • 晶体管类型:MOSFET
  • 电压, Vds 最大:40V
  • 电流, Id 连续:2.5A
  • 最大功耗:14W
  • 针脚数:8
  • 外宽:5mm
  • 外部深度:1mm
  • 外部长度/高度:5mm
  • 封装类型:PowerFLAT 5 x 5
  • 晶体管数:1
  • 晶体管极性:N
  • 最小增益带宽 ft:500MHz
  • 表面安装器件:表面安装
  • SMD标号:55003
  • 功率, Pd:14W
  • 封装类型:PowerFLAT
  • 满功率温度:70°C
  • 电压, Vds 典型值:40V
  • 阈值电压, Vgs th 典型值:5V
  • 上海5
    新加坡 0
    英国3099
    1 1 询价,无需注册 订购
    STMICROELECTRONICS - PD54008L-E - 场效应管 MOSFET RF 8W 500MHZ STMICROELECTRONICS - PD54008L-E - 场效应管 MOSFET RF 8W 500MHZ
  • 晶体管类型:MOSFET
  • 电压, Vds 最大:25V
  • 电流, Id 连续:5A
  • 针脚数:8
  • 外宽:5mm
  • 外部深度:1mm
  • 外部长度/高度:5mm
  • 封装类型:PowerFLAT 5 x 5
  • 晶体管数:1
  • 晶体管极性:N
  • 最小增益带宽 ft:500MHz
  • 表面安装器件:表面安装
  • SMD标号:54008
  • 功率, Pd:26.7W
  • 封装类型:PowerFLAT
  • 满功率温度:70°C
  • 电压, Vds 典型值:25V
  • 阈值电压, Vgs th 典型值:5V
  • 无库存 1 1 询价,无需注册 订购
    STMICROELECTRONICS - PD54003L-E - 场效应管 MOSFET RF 3W 500MHZ STMICROELECTRONICS - PD54003L-E - 场效应管 MOSFET RF 3W 500MHZ
  • 晶体管类型:MOSFET
  • 电压, Vds 最大:25V
  • 电流, Id 连续:4A
  • 针脚数:8
  • 外宽:5mm
  • 外部深度:1mm
  • 外部长度/高度:5mm
  • 封装类型:PowerFLAT 5 x 5
  • 晶体管数:1
  • 晶体管极性:N
  • 最小增益带宽 ft:500MHz
  • 表面安装器件:表面安装
  • SMD标号:54003
  • 功率, Pd:19.5W
  • 封装类型:PowerFLAT
  • 满功率温度:70°C
  • 电压, Vds 典型值:25V
  • 阈值电压, Vgs th 典型值:3.3V
  • 无库存 1 1 询价,无需注册 订购
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