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最小功率增益 Gp

  • 13dB
  • 33dB

最小增益带宽 ft

  • 175MHz
  • 500MHz

最大功耗

  • 62.5W
  • 68W
  • 3W
  • 31.25W
  • 880W
  • 1.18kW
  • 73W
  • 590W
  • 220W
  • 1.5W
  • 560W
  • 6W
  • 600W
  • 200mW
  • 200W
  • 180W
  • 315W
  • 470W
  • 500W
  • 300W
  • 14W
  • 16W
  • 52.8W

针脚数

  • 3
  • 8

噪声

  • 5.5dB
  • 1dB
  • 2dB

增益

  • 13dB
  • 10dB
  • 15dB
  • 14dB

阈值电压, Vgs th 典型值

  • 3.3V
  • 5V
  • 4.5V
  • 3V
  • 1.2V
  • 4.25V
  • 4V
  • 5.5V
  • 6.5V
  • 4.95V

应用代码

  • RFPOWMOS
  • 双门HFMOSFET

通态电阻, Rds on 最大

  • 0.3ohm
  • 0.75ohm
  • 5ohm
  • 1.5ohm

输出功率

  • 1.5W
  • 3W
  • 8W

上升时间

  • 18ns
  • 12ns
  • 4ns
  • 2ns
  • 13ns
  • 14ns
  • 20ns
  • 5ns
  • 16ns

满功率温度

  • 70°C
  • 25°C
  • 70°C

漏极电流, Id 最大值

  • 18A
  • 6A
  • 1A

开态电阻, Rds(on)

  • 1.5ohm
  • 0.4ohm
  • 0.6ohm
  • 1ohm
  • 0.75ohm
  • 0.2ohm
  • 0.8ohm
  • 1.05ohm
  • 0.44ohm
  • 0.085ohm
  • 0.19ohm
  • 1.9ohm
  • 0.08ohm
  • 0.25ohm
  • 0.12ohm
  • 2.1ohm
  • 0.5ohm
  • 3.3ohm
  • 0.3ohm
  • 0.39ohm

结温, Tj 最高

  • 200°C
  • 150°C

截止频率 ft, 典型值

  • 32MHz
  • 175MHz
  • 28MHz

晶体管极性

  • N Channel
  • N
  • 双 N
  • N沟道

晶体管类型

  • RF FET
  • MOSFET
  • RF MOS
  • HF-VHF功率 MOS

晶体管数

  • 1
  • 2

功耗

  • 500W
  • 68W
  • 62.5W
  • 62.5mW
  • 31.25W
图片 型号 产品描述 库存状况 包装规格 单位价格
(不含税)
数量
IXYS RF - IXZH16N60 - 场效应管 MOSFET N RF TO-247AD IXYS RF - IXZH16N60 - 场效应管 MOSFET N RF TO-247AD
  • 晶体管类型:MOSFET
  • 电压, Vds 最大:600V
  • 电流, Id 连续:18A
  • 封装类型:TO-247AD
  • 封装类型, 替代:SOT-249
  • 晶体管极性:N Channel
  • 表面安装器件:通孔安装
  • 上升时间:4ns
  • 功率, Pd:300W
  • 封装类型:TO-247AD
  • 开态电阻, Rds(on):0.44ohm
  • 电压 Vgs @ Rds on 测量:20V
  • 电压, Vds 典型值:600V
  • 电容值, Ciss 典型值:1930pF
  • 电流, Idm 脉冲:90A
  • 阈值电压, Vgs th 典型值:4.25V
  • 上海 0
    新加坡 0
    英国10
    1 1 询价,无需注册 订购
    IXYS RF - IXFN24N100F - 场效应管 MOSFET N RF SOT-227B IXYS RF - IXFN24N100F - 场效应管 MOSFET N RF SOT-227B
  • 晶体管类型:MOSFET
  • 电压, Vds 最大:1000V
  • 电流, Id 连续:24A
  • 最大功耗:600W
  • 工作温度范围:-55°C to +150°C
  • 封装类型:ISOTOP
  • 晶体管极性:N
  • 表面安装器件:螺丝安装
  • 上升时间:18ns
  • 功率, Pd:600W
  • 封装类型:ISOTOP
  • 开态电阻, Rds(on):0.39ohm
  • 电压 Vgs @ Rds on 测量:10V
  • 电压, Vds 典型值:1000V
  • 电容值, Ciss 典型值:6600pF
  • 阈值电压, Vgs th 典型值:5.5V
  • 上海 0
    新加坡1
    英国19
    1 1 询价,无需注册 订购
    IXYS RF - IXFN55N50F - 场效应管 MOSFET N RF SOT-227B IXYS RF - IXFN55N50F - 场效应管 MOSFET N RF SOT-227B
  • 晶体管类型:MOSFET
  • 电压, Vds 最大:500V
  • 电流, Id 连续:55A
  • 最大功耗:600W
  • 工作温度范围:-55°C to +150°C
  • 封装类型:ISOTOP
  • 晶体管极性:N
  • 表面安装器件:螺丝安装
  • 上升时间:20ns
  • 功率, Pd:600W
  • 封装类型:ISOTOP
  • 开态电阻, Rds(on):0.085ohm
  • 电压 Vgs @ Rds on 测量:10V
  • 电压, Vds 典型值:500V
  • 电容值, Ciss 典型值:6700pF
  • 阈值电压, Vgs th 典型值:5.5V
  • 无库存 1 1 询价,无需注册 订购
    IXYS RF - IXZR08N120B - 场效应管 MOSFET N RF ISOPLUS247 IXYS RF - IXZR08N120B - 场效应管 MOSFET N RF ISOPLUS247
  • 晶体管类型:MOSFET
  • 电压, Vds 最大:1200V
  • 电流, Id 连续:8A
  • 封装类型:ISOPLUS-247
  • 晶体管极性:N Channel
  • 表面安装器件:通孔安装
  • 上升时间:5ns
  • 封装类型:ISOPLUS-247
  • 开态电阻, Rds(on):2.1ohm
  • 电压 Vgs @ Rds on 测量:20V
  • 电压, Vds 典型值:1200V
  • 电容值, Ciss 典型值:1960pF
  • 阈值电压, Vgs th 典型值:6.5V
  • 无库存 1 1 询价,无需注册 订购
    IXYS RF - IXZR08N120A - 场效应管 MOSFET N RF ISOPLUS247 IXYS RF - IXZR08N120A - 场效应管 MOSFET N RF ISOPLUS247
  • 晶体管类型:MOSFET
  • 电压, Vds 最大:1200V
  • 电流, Id 连续:8A
  • 最大功耗:3W
  • 工作温度范围:-55°C to +175°C
  • 封装类型:ISOPLUS-247
  • 晶体管极性:N
  • 表面安装器件:通孔安装
  • 上升时间:5ns
  • 封装类型:ISOPLUS-247
  • 开态电阻, Rds(on):2.1ohm
  • 电压 Vgs @ Rds on 测量:20V
  • 电压, Vds 典型值:1200V
  • 电容值, Ciss 典型值:1960pF
  • 阈值电压, Vgs th 典型值:6.5V
  • 无库存 1 1 询价,无需注册 订购
    IXYS RF - IXZR16N60B - 场效应管 MOSFET N RF ISOPLUS247 IXYS RF - IXZR16N60B - 场效应管 MOSFET N RF ISOPLUS247
  • 晶体管类型:MOSFET
  • 电压, Vds 最大:600V
  • 电流, Id 连续:18A
  • 最大功耗:3W
  • 工作温度范围:-55°C to +175°C
  • 封装类型:ISOPLUS-247
  • 晶体管极性:N
  • 表面安装器件:通孔安装
  • 上升时间:4ns
  • 封装类型:ISOPLUS-247
  • 开态电阻, Rds(on):0.44ohm
  • 电压 Vgs @ Rds on 测量:20V
  • 电压, Vds 典型值:600V
  • 电容值, Ciss 典型值:1930pF
  • 阈值电压, Vgs th 典型值:4.25V
  • 无库存 1 1 询价,无需注册 订购
    IXYS RF - IXZ308N120 - 场效应管 MOSFET N RF DE375 IXYS RF - IXZ308N120 - 场效应管 MOSFET N RF DE375
  • 晶体管类型:MOSFET
  • 电压, Vds 最大:1200V
  • 电流, Id 连续:8A
  • 最大功耗:880W
  • 工作温度范围:-55°C to +175°C
  • 封装类型:DE-375
  • 晶体管极性:N
  • 上升时间:5ns
  • 功率, Pd:880W
  • 封装类型:DE-375
  • 开态电阻, Rds(on):2.1ohm
  • 电压 Vgs @ Rds on 测量:20V
  • 电压, Vds 典型值:1200V
  • 电容值, Ciss 典型值:1960pF
  • 阈值电压, Vgs th 典型值:6.5V
  • 无库存 1 1 询价,无需注册 订购
    IXYS RF - DE275X2-102N06A - 场效应管 MOSFET N RF DE275X2 IXYS RF - DE275X2-102N06A - 场效应管 MOSFET N RF DE275X2
  • 晶体管类型:MOSFET
  • 电压, Vds 最大:1000V
  • 电流, Id 连续:16A
  • 最大功耗:1.18kW
  • 工作温度范围:-55°C to +175°C
  • 封装类型:DE-275X2
  • 晶体管极性:N
  • 上升时间:2ns
  • 功率, Pd:1180W
  • 封装类型:DE-275X2
  • 开态电阻, Rds(on):0.8ohm
  • 电压 Vgs @ Rds on 测量:15V
  • 电压, Vds 典型值:1000V
  • 电容值, Ciss 典型值:1800pF
  • 阈值电压, Vgs th 典型值:5.5V
  • 上海 0
    新加坡3
    英国13
    1 1 询价,无需注册 订购
    IXYS RF - IXZ2211N50 - 场效应管 MOSFET N RF DE275X2 IXYS RF - IXZ2211N50 - 场效应管 MOSFET N RF DE275X2
  • 晶体管类型:MOSFET
  • 电压, Vds 最大:500V
  • 电流, Id 连续:11A
  • 封装类型:DE-275X2
  • 晶体管极性:N Channel
  • 上升时间:4ns
  • 功率, Pd:1180W
  • 封装类型:DE-275X2
  • 开态电阻, Rds(on):0.6ohm
  • 电压 Vgs @ Rds on 测量:20V
  • 电压, Vds 典型值:500V
  • 电容值, Ciss 典型值:790pF
  • 电流, Idm 脉冲:60A
  • 阈值电压, Vgs th 典型值:6.5V
  • 无库存 1 1 询价,无需注册 订购
    IXYS RF - DE275-201N25A - 场效应管 MOSFET N RF DE275 IXYS RF - DE275-201N25A - 场效应管 MOSFET N RF DE275
  • 晶体管类型:MOSFET
  • 电压, Vds 最大:200V
  • 电流, Id 连续:25A
  • 最大功耗:590W
  • 工作温度范围:-55°C to +175°C
  • 封装类型:DE-275
  • 晶体管极性:N
  • 上升时间:5ns
  • 功率, Pd:590W
  • 封装类型:DE-275
  • 开态电阻, Rds(on):0.08ohm
  • 电压 Vgs @ Rds on 测量:15V
  • 电压, Vds 典型值:200V
  • 电容值, Ciss 典型值:2500pF
  • 阈值电压, Vgs th 典型值:5.5V
  • 无库存 1 1 询价,无需注册 订购
    IXYS RF - IXZ211N50 - 场效应管 MOSFET N RF DE275 IXYS RF - IXZ211N50 - 场效应管 MOSFET N RF DE275
  • 晶体管类型:MOSFET
  • 电压, Vds 最大:500V
  • 电流, Id 连续:11A
  • 最大功耗:590W
  • 工作温度范围:-55°C to +175°C
  • 封装类型:DE-275
  • 晶体管极性:N
  • 上升时间:4ns
  • 功率, Pd:540W
  • 封装类型:DE-275
  • 开态电阻, Rds(on):0.6ohm
  • 电压 Vgs @ Rds on 测量:15V
  • 电压, Vds 典型值:500V
  • 电容值, Ciss 典型值:790pF
  • 电流, Idm 脉冲:60A
  • 停产 1 1 询价,无需注册 订购
    IXYS RF - IXZ215N12L - 场效应管 MOSFET N RF DE275 IXYS RF - IXZ215N12L - 场效应管 MOSFET N RF DE275
  • 晶体管类型:MOSFET
  • 电压, Vds 最大:125V
  • 电流, Id 连续:15A
  • 最大功耗:6W
  • 工作温度范围:-55°C to +175°C
  • 封装类型:DE-275
  • 晶体管极性:N
  • 上升时间:4ns
  • 封装类型:DE-275
  • 开态电阻, Rds(on):0.3ohm
  • 电压 Vgs @ Rds on 测量:15V
  • 电压, Vds 典型值:125V
  • 电容值, Ciss 典型值:425pF
  • 电流, Idm 脉冲:60A
  • 阈值电压, Vgs th 典型值:6.5V
  • 无库存 1 1 询价,无需注册 订购
    IXYS RF - IXZ210N50L - 场效应管 MOSFET N RF DE275 IXYS RF - IXZ210N50L - 场效应管 MOSFET N RF DE275
  • 晶体管类型:MOSFET
  • 电压, Vds 最大:500V
  • 电流, Id 连续:10A
  • 最大功耗:470W
  • 工作温度范围:-55°C to +175°C
  • 封装类型:DE-275
  • 晶体管极性:N
  • 上升时间:4ns
  • 功率, Pd:470W
  • 封装类型:DE-275
  • 开态电阻, Rds(on):1ohm
  • 电压 Vgs @ Rds on 测量:20V
  • 电压, Vds 典型值:500V
  • 电容值, Ciss 典型值:622pF
  • 电流, Idm 脉冲:60A
  • 阈值电压, Vgs th 典型值:4.95V
  • 上海 0
    新加坡 0
    英国32
    1 1 询价,无需注册 订购
    IXYS RF - DE150-501N04A - 场效应管 MOSFET N RF DE150 IXYS RF - DE150-501N04A - 场效应管 MOSFET N RF DE150
  • 晶体管类型:MOSFET
  • 电压, Vds 最大:500V
  • 电流, Id 连续:4.5A
  • 最大功耗:200W
  • 工作温度范围:-55°C to +175°C
  • 封装类型:150
  • 晶体管极性:N
  • 上升时间:4ns
  • 功率, Pd:200W
  • 封装类型:150
  • 开态电阻, Rds(on):1.5ohm
  • 电压 Vgs @ Rds on 测量:15V
  • 电压, Vds 典型值:500V
  • 电容值, Ciss 典型值:700pF
  • 阈值电压, Vgs th 典型值:3V
  • 上海2
    新加坡 0
    英国29
    1 1 询价,无需注册 订购
    IXYS RF - IXZ2210N50L - 场效应管 MOSFET N RF 754 IXYS RF - IXZ2210N50L - 场效应管 MOSFET N RF 754
  • 晶体管类型:MOSFET
  • 电压, Vds 最大:500V
  • 电流, Id 连续:10A
  • 最大功耗:470W
  • 工作温度范围:-55°C to +175°C
  • 封装类型:DE275X2
  • 晶体管极性:N
  • 最小增益带宽 ft:175MHz
  • 上升时间:16ns
  • 功率, Pd:360W
  • 封装类型:DE-275X2
  • 开态电阻, Rds(on):1ohm
  • 电压 Vgs @ Rds on 测量:20V
  • 电压, Vds 典型值:500V
  • 电容值, Ciss 典型值:383pF
  • 电流, Idm 脉冲:60A
  • 阈值电压, Vgs th 典型值:4.95V
  • 无库存 1 1 询价,无需注册 订购
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