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最小电流感应率 @ Id

  • 2600
  • 1340
  • 2640
  • 2630
  • 2460
  • 2660

最小功率增益 Gp

  • 6dB
  • 13dB
  • 33dB

最小增益带宽 ft

  • 30000MHz
  • 1500MHz
  • 250MHz
  • 175MHz
  • 4000MHz
  • 500MHz
  • 550MHz
  • 40MHz
  • 180MHz
  • 170MHz
  • 20MHz
  • 1000MHz
  • 4500MHz
  • 300Hz
  • 200MHz
  • 115MHz
  • 30MHz
  • 1.5GHz
  • 142MHz
  • 120MHz
  • 100MHz
  • 140MHz
  • 150MHz
  • 0.025MHz
  • 50MHz
  • 7000MHz
  • 2MHz
  • 0.2MHz
  • 0.8MHz
  • 0.4GHz
  • 1MHz
  • 10MHz
  • 145MHz
  • 3500MHz
  • 130MHz
  • 20000MHz
  • 6000MHz
  • 80MHz
  • 7MHz
  • 8MHz
  • 75MHz
  • 70MHz
  • 4MHz
  • 125MHz
  • 60MHz
  • 1800MHz
  • 300MHz
  • 3MHz
  • 11000MHz

最小正向跨导 Gfs

  • 6.6A/V
  • 5.4A/V
  • 5.9A/V
  • 6.5A/V
  • 18A/V
  • 0.6mA/V
  • 5.0mA/V
  • 9.4A/V
  • 2mA/V
  • 4.5mA/V
  • 0.07mA/V
  • 21mA/V
  • 10mA/V
  • 10.0mA/V
  • 2.0mA/V

二极管 TVS VRWM

  • 342V
  • 26V
  • 12V
  • 5V
  • 15V 双向 DO-214AC
  • 24V 双向 DO-214AC
  • 3.3V

晶体管 IGBT模块 1600W Vceo

  • 600V 400A 600V
  • 1200V 400A 1200V

晶体管 IGBT模块 890W Vceo

  • 1.2kV
  • 1200V 300A 1200V

晶体管 IGBT模块 Vceo

  • 1200V 50A 1200V
  • 1700V Case 2
  • 1200V SEMITRANS 4
  • 1200V D56 150A
  • 600V 75A
  • 1200V D67 22A
  • 1200V Case 2
  • 1700V Case 3
  • 1200V Case 3

齐纳二极管 Vz

  • 180V
  • 24V
  • 51V
  • 43V
  • 12V
  • 75V
  • 11V
  • 6.2V

齐纳二极管 VZ

  • 68V
  • 6V
  • 18V

齐纳二极管 Vz

  • 130V
  • 150V

齐纳二极管 Vz

  • 8.2V
  • 30V

齐纳二极管 Vz

  • 3.3V 500mW
  • 3.9V
  • 22V
  • 3V
  • 91V

齐纳二极管 Vz

  • 120V
  • 36V
  • 14V
  • 33V

齐纳二极管 Vz

  • 20V
  • 200V
  • 4.4-5V
  • 100V
  • 39V
  • 62V
  • 5.6V
  • 16V
  • 13V

齐纳二极管 Vz

  • 3.6V
  • 15V
  • 8.2V SOT-323

齐纳二极管 Vz

  • 3.3V
  • 7.5V
  • 160V

压敏电阻 VRMS

  • 300V
  • 275V
  • 35V
  • 150V
  • 575V
  • 625V
  • 30V

最大重复雪崩能量 Ear

  • 85mJ
  • 64mJ
  • 30mJ
  • 160mJ
  • 16.7mJ
  • 50mJ
  • 45mJ
  • 1mJ
  • 25mJ
  • 0.036mJ
  • 41.7mJ
  • 0.07mJ
  • 1.2mJ

最低阈值电压, Vgs th N沟道 1

  • 0.4V
  • 0.6V
  • 0.65V
  • 2.8V
  • 1V
- IGBT - 单
- IGBT阵列
- JFET
- MOSFET - 单
- MOSFET阵列
- SCR晶闸管
- TVS - 电涌抑制变阻器, MOV & MLV
- TVS - 其它
- TVS二极管
- TVS晶闸管
- 场效应管 - 射频
- 触发二极管 (DIAC & SIDAC)
- 单结晶体管 (UJT)
- 二极管 - 单齐纳
- 二极管 - 可变电容值
- 二极管 - 射频
- 二极管 - 小信号
- 二极管 - 整流器 单
- 二极管 - 整流器阵列
- 更多半导体 - 分立器件
- 齐纳二极管阵列
- 桥式整流器
- 双极性 - 预偏置/数字式
- 双极性晶体管 - 射频
- 双极性晶体管(BJT) 单
- 双极性晶体管(BJT)阵列
- 双向晶闸管(TRIAC)
图片 型号 产品描述 库存状况 包装规格 单位价格
(不含税)
数量
SANYO - SCH1419-TL-E - 场效应管 MOSFET N沟道 30V 1.5A SCH6 SANYO - SCH1419-TL-E - 场效应管 MOSFET N沟道 30V 1.5A SCH6
  • 晶体管极性:N
  • 漏极电流, Id 最大值:1.5A
  • 电压, Vds 最大:30V
  • 开态电阻, Rds(on):215mohm
  • 电压 @ Rds测量:4V
  • 电压, Vgs 最高:12V
  • 功耗:800mW
  • 工作温度范围:-55°C to +150°C
  • 封装类型:SCH6
  • 针脚数:6
  • 封装类型:SCH6
  • 晶体管类型:Switching
  • 电压 Vgs @ Rds on 测量:4V
  • 电压, Vds 典型值:30V
  • 电流, Id 连续:1.5A
  • 表面安装器件:表面安装
  • 阈值电压, Vgs th 典型值:1.3V
  • 上海 0
    新加坡 0
    英国100
    1 1 询价,无需注册 订购
    SANYO - SCH1417-TL-E - 场效应管 MOSFET N沟道 15V 1.8A SCH6 SANYO - SCH1417-TL-E - 场效应管 MOSFET N沟道 15V 1.8A SCH6
  • 晶体管极性:N
  • 漏极电流, Id 最大值:1.8A
  • 电压, Vds 最大:15V
  • 开态电阻, Rds(on):160mohm
  • 电压 @ Rds测量:4V
  • 电压, Vgs 最高:10V
  • 功耗:650mW
  • 工作温度范围:-55°C to +150°C
  • 封装类型:SCH6
  • 针脚数:6
  • 封装类型:SCH6
  • 晶体管类型:Switching
  • 电压 Vgs @ Rds on 测量:4V
  • 电压, Vds 典型值:15V
  • 电流, Id 连续:1.8A
  • 表面安装器件:表面安装
  • 阈值电压, Vgs th 典型值:1.3V
  • 上海 0
    新加坡 0
    英国100
    1 1 询价,无需注册 订购
    SANYO - SCH1402-TL-E - 场效应管 MOSFET N沟道 20V 3A SCH6 SANYO - SCH1402-TL-E - 场效应管 MOSFET N沟道 20V 3A SCH6
  • 晶体管极性:N
  • 漏极电流, Id 最大值:3A
  • 电压, Vds 最大:20V
  • 开态电阻, Rds(on):82mohm
  • 电压 @ Rds测量:4V
  • 电压, Vgs 最高:10V
  • 功耗:800mW
  • 工作温度范围:-55°C to +150°C
  • 封装类型:SCH6
  • 针脚数:6
  • 封装类型:SCH6
  • 晶体管类型:Switching
  • 电压 Vgs @ Rds on 测量:4V
  • 电压, Vds 典型值:20V
  • 电流, Id 连续:3A
  • 表面安装器件:表面安装
  • 阈值电压, Vgs th 典型值:1.3V
  • 上海 0
    新加坡 0
    英国100
    1 1 询价,无需注册 订购
    SANYO - SCH1302-TL-E - 场效应管 MOSFET P沟道 20V 2A SCH6 SANYO - SCH1302-TL-E - 场效应管 MOSFET P沟道 20V 2A SCH6
  • 晶体管极性:P
  • 漏极电流, Id 最大值:-2A
  • 电压, Vds 最大:-20V
  • 开态电阻, Rds(on):165mohm
  • 电压 @ Rds测量:-4V
  • 电压, Vgs 最高:10V
  • 功耗:800mW
  • 工作温度范围:-55°C to +150°C
  • 封装类型:SCH6
  • 针脚数:6
  • 封装类型:SCH6
  • 晶体管类型:Switching
  • 电压 Vgs @ Rds on 测量:4V
  • 电压, Vds 典型值:20V
  • 电流, Id 连续:2A
  • 表面安装器件:表面安装
  • 阈值电压, Vgs th 典型值:10V
  • 上海 0
    新加坡 0
    英国93
    1 1 询价,无需注册 订购
    SANYO - SCH1301-TL-E - 场效应管 MOSFET P沟道 12V 2.4A SCH6 SANYO - SCH1301-TL-E - 场效应管 MOSFET P沟道 12V 2.4A SCH6
  • 晶体管极性:P
  • 漏极电流, Id 最大值:-2.4A
  • 电压, Vds 最大:-12V
  • 开态电阻, Rds(on):120mohm
  • 电??? @ Rds测量:-4.5V
  • 电压, Vgs 最高:8V
  • 功耗:800mW
  • 工作温度范围:-55°C to +150°C
  • 封装类型:SCH6
  • 针脚数:6
  • 封装类型:SCH6
  • 晶体管类型:Switching
  • 电压 Vgs @ Rds on 测量:4.5V
  • 电压, Vds 典型值:12V
  • 电流, Id 连续:2.4A
  • 表面安装器件:表面安装
  • 阈值电压, Vgs th 典型值:1V
  • 上海 0
    新加坡 0
    英国100
    1 1 询价,无需注册 订购
    SANYO - MCH6635-TL-E - 场效应管 双MOSFET PP沟道 20V 0.8A MCPH6 SANYO - MCH6635-TL-E - 场效应管 双MOSFET PP沟道 20V 0.8A MCPH6
  • 晶体管极性:Dual P Channel
  • 漏极电流, Id 最大值:0.8A
  • 电压, Vds 最大:20V
  • 开态电阻, Rds(on):900mohm
  • 电压 @ Rds测量:4V
  • 阈值电压, Vgs th 典型值:1.3V
  • 功耗:800mW
  • 工作温度范围:-55°C to +150°C
  • 封装类型:SC-88
  • 针脚数:6
  • 封装类型:SC-88
  • 晶体管类型:Switching
  • 表面安装器件:表面安装
  • 电压 Vgs @ Rds on 测量:4V
  • 电压, Vds 典型值:20V
  • 电压, Vgs 最高:10V
  • 电流, Id 连续:0.4A
  • 上海 0
    新加坡 0
    英国95
    1 1 询价,无需注册 订购
    SANYO - MCH6629-TL-E - 场效应管 双MOSFET PP沟道 30V 0.4A MCPH6 SANYO - MCH6629-TL-E - 场效应管 双MOSFET PP沟道 30V 0.4A MCPH6
  • 晶体管极性:Dual P Channel
  • 漏极电流, Id 最大值:0.4A
  • 电压, Vds 最大:30V
  • 开态电阻, Rds(on):1900mohm
  • 电压 @ Rds测量:4V
  • 阈值电压, Vgs th 典型值:1.4V
  • 功耗:800mW
  • 工作温度范围:-55°C to +150°C
  • 封装类型:SC-88
  • 针脚数:6
  • 封装类型:SC-88
  • 晶体管类型:Switching
  • 表面安装器件:表面安装
  • 电压 Vgs @ Rds on 测量:4V
  • 电压, Vds 典型值:30V
  • 电压, Vgs 最高:10V
  • 电流, Id 连续:0.2A
  • 上海 0
    新加坡 0
    英国100
    1 1 询价,无需注册 订购
    SANYO - MCH6617-TL-E - 场效应管 双MOSFET PP沟道 20V 1A MCPH6 SANYO - MCH6617-TL-E - 场效应管 双MOSFET PP沟道 20V 1A MCPH6
  • 晶体管极性:Dual P Channel
  • 漏极电流, Id 最大值:1A
  • 电压, Vds 最大:20V
  • 开态电阻, Rds(on):500mohm
  • 电压 @ Rds测量:4V
  • 阈值电压, Vgs th 典型值:1.3V
  • 功耗:800mW
  • 工作温度范围:-55°C to +150°C
  • 封装类型:SC-88
  • 针脚数:6
  • 封装类型:SC-88
  • 晶体管类型:Switching
  • 表面安装器件:表面安装
  • 电压 Vgs @ Rds on 测量:4V
  • 电压, Vds 典型值:20V
  • 电压, Vgs 最高:10V
  • 电流, Id 连续:0.5A
  • 上海 0
    新加坡 0
    英国90
    1 1 询价,无需注册 订购
    SANYO - MCH6601-TL-E - 场效应管 双MOSFET PP沟道 30V 0.2A MCPH6 SANYO - MCH6601-TL-E - 场效应管 双MOSFET PP沟道 30V 0.2A MCPH6
  • 晶体管极性:Dual P Channel
  • 漏极电流, Id 最大值:0.2A
  • 电压, Vds 最大:30V
  • 开态电阻, Rds(on):10400mohm
  • 电压 @ Rds测量:4V
  • 阈值电压, Vgs th 典型值:1.4V
  • 功耗:800mW
  • 工作温度范围:-55°C to +150°C
  • 封装类型:SC-88
  • 针脚数:6
  • 封装类型:SC-88
  • 晶体管类型:Switching
  • 表面安装器件:表面安装
  • 电压 Vgs @ Rds on 测量:4V
  • 电压, Vds 典型值:30V
  • 电压, Vgs 最高:10V
  • 电流, Id 连续:0.05A
  • 上海 0
    新加坡 0
    英国100
    1 1 询价,无需注册 订购
    SANYO - MCH6429-TL-E - 场效应管 MOSFET N沟道 20V 6A MCPH6 SANYO - MCH6429-TL-E - 场效应管 MOSFET N沟道 20V 6A MCPH6
  • 晶体管极性:N
  • 漏极电流, Id 最大值:6A
  • 电压, Vds 最大:20V
  • 开态电阻, Rds(on):28mohm
  • 电压 @ Rds测量:4V
  • 电压, Vgs 最高:12V
  • 功耗:1.5W
  • 工作温度范围:-55°C to +150°C
  • 封装类型:SC-88
  • 针脚数:6
  • 封装类型:SC-88
  • 晶体管类型:Switching
  • 电压 Vgs @ Rds on 测量:4V
  • 电压, Vds 典型值:20V
  • 电流, Id 连续:6A
  • 表面安装器件:表面安装
  • 阈值电压, Vgs th 典型值:1.3V
  • 上海 0
    新加坡 0
    英国39
    1 1 询价,无需注册 订购
    SANYO - MCH6412-TL-E - 场效应管 MOSFET N沟道 30V 5A MCPH6 SANYO - MCH6412-TL-E - 场效应管 MOSFET N沟道 30V 5A MCPH6
  • 晶体管极性:N
  • 漏极电流, Id 最大值:5A
  • 电压, Vds 最大:30V
  • 开态电阻, Rds(on):41mohm
  • 电压 @ Rds测量:4V
  • 电压, Vgs 最高:10V
  • 功耗:1.5W
  • 工作温度范围:-55°C to +150°C
  • 封装类型:SC-88
  • 针脚数:6
  • 封装类型:SC-88
  • 晶体管类型:Switching
  • 电压 Vgs @ Rds on 测量:4V
  • 电压, Vds 典型值:30V
  • 电流, Id 连续:5A
  • 表面安装器件:表面安装
  • 阈值电压, Vgs th 典型值:1.3V
  • 上海 0
    新加坡 0
    英国39
    1 1 询价,无需注册 订购
    SANYO - MCH6337-TL-E - 场效应管 MOSFET P沟道 20V 4.5A MCPH6 SANYO - MCH6337-TL-E - 场效应管 MOSFET P沟道 20V 4.5A MCPH6
  • 晶体管极性:P
  • 漏极电流, Id 最大值:-4.5A
  • 电压, Vds 最大:-20V
  • 开态电阻, Rds(on):49mohm
  • 电压 @ Rds测量:-4.5V
  • 电压, Vgs 最高:10V
  • 功耗:1.5W
  • 工作温度范围:-55°C to +150°C
  • 封装类型:SC-88
  • 针脚数:6
  • 封装类型:SC-88
  • 晶体管类型:Switching
  • 电压 Vgs @ Rds on 测量:4.5V
  • 电压, Vds 典型值:20V
  • 电流, Id 连续:4.5A
  • 表面安装器件:表面安装
  • 阈值电压, Vgs th 典型值:1.3V
  • 上海 0
    新加坡 0
    英国69
    1 1 询价,无需注册 订购
    SANYO - MCH6336-TL-E - 场效应管 MOSFET P沟道 12V 5A MCPH6 SANYO - MCH6336-TL-E - 场效应管 MOSFET P沟道 12V 5A MCPH6
  • 晶体管极性:P
  • 漏极电流, Id 最大值:-5A
  • 电压, Vds 最大:-12V
  • 开态电阻, Rds(on):43mohm
  • 电??? @ Rds测量:-4.5V
  • 电压, Vgs 最高:10V
  • 功耗:1.5W
  • 工作温度范围:-55°C to +150°C
  • 封装类型:SC-88
  • 针脚数:6
  • 封装类型:SC-88
  • 晶体管类型:Switching
  • 电压 Vgs @ Rds on 测量:4.5V
  • 电压, Vds 典型值:12V
  • 电流, Id 连续:5A
  • 表面安装器件:表面安装
  • 阈值电压, Vgs th 典型值:1.4V
  • 上海 0
    新加坡 0
    英国1467
    1 1 询价,无需注册 订购
    SANYO - MCH3427-TL-E - 场效应管 MOSFET N沟道 20V 4A MCPH3 SANYO - MCH3427-TL-E - 场效应管 MOSFET N沟道 20V 4A MCPH3
  • 晶体管极性:N
  • 漏极电流, Id 最大值:4A
  • 电压, Vds 最大:20V
  • 开态电阻, Rds(on):52mohm
  • 电压 @ Rds测量:4V
  • 电压, Vgs 最高:12V
  • 功耗:1W
  • 工作温度范围:-55°C to +150°C
  • 封装类型:SC-88
  • 针脚数:3
  • 封装类型:SC-88
  • 晶体管类型:Switching
  • 电压 Vgs @ Rds on 测量:4V
  • 电压, Vds 典型值:20V
  • 电流, Id 连续:4A
  • 表面安装器件:表面安装
  • 阈值电压, Vgs th 典型值:1.3V
  • 无库存 1 1 询价,无需注册 订购
    SANYO - MCH3377-TL-E - 场效应管 MOSFET P沟道 20V 3A MCPH3 SANYO - MCH3377-TL-E - 场效应管 MOSFET P沟道 20V 3A MCPH3
  • 晶体管极性:P
  • 漏极电流, Id 最大值:-3A
  • 电压, Vds 最大:-20V
  • 开态电阻, Rds(on):83mohm
  • 电压 @ Rds测量:-4.5V
  • 电压, Vgs 最高:10V
  • 功耗:1W
  • 工作温度范围:-55°C to +150°C
  • 封装类型:SC-88
  • 针脚数:3
  • 封装类型:SC-88
  • 晶体管类型:Switching
  • 电压 Vgs @ Rds on 测量:4.5V
  • 电压, Vds 典型值:20V
  • 电流, Id 连续:3A
  • 表面安装器件:表面安装
  • 阈值电压, Vgs th 典型值:1.3V
  • 上海 0
    新加坡 0
    英国29
    1 1 询价,无需注册 订购
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