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最小电流感应率 @ Id

  • 2600
  • 1340
  • 2640
  • 2630
  • 2460
  • 2660

最小功率增益 Gp

  • 6dB
  • 13dB
  • 33dB

最小增益带宽 ft

  • 30000MHz
  • 1500MHz
  • 250MHz
  • 175MHz
  • 4000MHz
  • 500MHz
  • 550MHz
  • 40MHz
  • 180MHz
  • 170MHz
  • 20MHz
  • 1000MHz
  • 4500MHz
  • 300Hz
  • 200MHz
  • 115MHz
  • 30MHz
  • 1.5GHz
  • 142MHz
  • 120MHz
  • 100MHz
  • 140MHz
  • 150MHz
  • 0.025MHz
  • 50MHz
  • 7000MHz
  • 2MHz
  • 0.2MHz
  • 0.8MHz
  • 0.4GHz
  • 1MHz
  • 10MHz
  • 145MHz
  • 3500MHz
  • 130MHz
  • 20000MHz
  • 6000MHz
  • 80MHz
  • 7MHz
  • 8MHz
  • 75MHz
  • 70MHz
  • 4MHz
  • 125MHz
  • 60MHz
  • 1800MHz
  • 300MHz
  • 3MHz
  • 11000MHz

最小正向跨导 Gfs

  • 6.6A/V
  • 5.4A/V
  • 5.9A/V
  • 6.5A/V
  • 18A/V
  • 0.6mA/V
  • 5.0mA/V
  • 9.4A/V
  • 2mA/V
  • 4.5mA/V
  • 0.07mA/V
  • 21mA/V
  • 10mA/V
  • 10.0mA/V
  • 2.0mA/V

二极管 TVS VRWM

  • 342V
  • 26V
  • 12V
  • 5V
  • 15V 双向 DO-214AC
  • 24V 双向 DO-214AC
  • 3.3V

晶体管 IGBT模块 1600W Vceo

  • 600V 400A 600V
  • 1200V 400A 1200V

晶体管 IGBT模块 890W Vceo

  • 1.2kV
  • 1200V 300A 1200V

晶体管 IGBT模块 Vceo

  • 1200V 50A 1200V
  • 1700V Case 2
  • 1200V SEMITRANS 4
  • 1200V D56 150A
  • 600V 75A
  • 1200V D67 22A
  • 1200V Case 2
  • 1700V Case 3
  • 1200V Case 3

齐纳二极管 Vz

  • 180V
  • 24V
  • 51V
  • 43V
  • 12V
  • 75V
  • 11V
  • 6.2V

齐纳二极管 VZ

  • 68V
  • 6V
  • 18V

齐纳二极管 Vz

  • 130V
  • 150V

齐纳二极管 Vz

  • 8.2V
  • 30V

齐纳二极管 Vz

  • 3.3V 500mW
  • 3.9V
  • 22V
  • 3V
  • 91V

齐纳二极管 Vz

  • 120V
  • 36V
  • 14V
  • 33V

齐纳二极管 Vz

  • 20V
  • 200V
  • 4.4-5V
  • 100V
  • 39V
  • 62V
  • 5.6V
  • 16V
  • 13V

齐纳二极管 Vz

  • 3.6V
  • 15V
  • 8.2V SOT-323

齐纳二极管 Vz

  • 3.3V
  • 7.5V
  • 160V

压敏电阻 VRMS

  • 300V
  • 275V
  • 35V
  • 150V
  • 575V
  • 625V
  • 30V

最大重复雪崩能量 Ear

  • 85mJ
  • 64mJ
  • 30mJ
  • 160mJ
  • 16.7mJ
  • 50mJ
  • 45mJ
  • 1mJ
  • 25mJ
  • 0.036mJ
  • 41.7mJ
  • 0.07mJ
  • 1.2mJ

最低阈值电压, Vgs th N沟道 1

  • 0.4V
  • 0.6V
  • 0.65V
  • 2.8V
  • 1V
- IGBT - 单
- IGBT阵列
- JFET
- MOSFET - 单
- MOSFET阵列
- SCR晶闸管
- TVS - 电涌抑制变阻器, MOV & MLV
- TVS - 其它
- TVS二极管
- TVS晶闸管
- 场效应管 - 射频
- 触发二极管 (DIAC & SIDAC)
- 单结晶体管 (UJT)
- 二极管 - 单齐纳
- 二极管 - 可变电容值
- 二极管 - 射频
- 二极管 - 小信号
- 二极管 - 整流器 单
- 二极管 - 整流器阵列
- 更多半导体 - 分立器件
- 齐纳二极管阵列
- 桥式整流器
- 双极性 - 预偏置/数字式
- 双极性晶体管 - 射频
- 双极性晶体管(BJT) 单
- 双极性晶体管(BJT)阵列
- 双向晶闸管(TRIAC)
图片 型号 产品描述 库存状况 包装规格 单位价格
(不含税)
数量
STMICROELECTRONICS - VNB35N07TR-E - 场效应管 MOSFET OMNIFET 70V 35A D2PAK STMICROELECTRONICS - VNB35N07TR-E - 场效应管 MOSFET OMNIFET 70V 35A D2PAK
  • 晶体管极性:N Channel
  • 开态电阻, Rds(on):0.028ohm
  • 工作温度范围:-55°C to +150°C
  • 封装类型:D2PAK
  • 封装类型:D2PAK
  • 晶体管类型:Power MOSFET
  • 电压 Vgs @ Rds on 测量:10V
  • 电压, Vds 典型值:70V
  • 电流, Id 连续:18A
  • 表面安装器件:表面安装
  • 阈值电压, Vgs th 典型值:3V
  • 上海 0
    新加坡20
    英国928
    1 1 询价,无需注册 订购
    STMICROELECTRONICS - VNB28N04-E - 场效应管 MOSFET OMNIFET 42V 28A D2PAK STMICROELECTRONICS - VNB28N04-E - 场效应管 MOSFET OMNIFET 42V 28A D2PAK
  • 晶体管极性:N Channel
  • 开态电阻, Rds(on):0.035ohm
  • 工作温度范围:-55°C to +150°C
  • 封装类型:D2PAK
  • 封装类型:D2PAK
  • 晶体管类型:Power MOSFET
  • 电压 Vgs @ Rds on 测量:10V
  • 电压, Vds 典型值:42V
  • 电流, Id 连续:14A
  • 表面安装器件:表面安装
  • 阈值电压, Vgs th 典型值:3V
  • 上海 0
    新加坡20
    英国883
    1 1 询价,无需注册 订购
    STMICROELECTRONICS - STP26NM60N - 场效应管 MOSFET N沟道 600V 20A TO220 STMICROELECTRONICS - STP26NM60N - 场效应管 MOSFET N沟道 600V 20A TO220
  • 晶体管极性:N Channel
  • 开态电阻, Rds(on):0.135ohm
  • 工作温度范围:-55°C to +150°C
  • 封装类型:TO-220
  • 封装类型:TO-220
  • 晶体管类型:Power MOSFET
  • 电压 Vgs @ Rds on 测量:10V
  • 电压, Vds 典型值:600V
  • 电流, Id 连续:10A
  • 表面安装器件:通孔安装
  • 阈值电压, Vgs th 典型值:3V
  • 上海 0
    新加坡10
    英国 0
    1 1 询价,无需注册 订购
    STMICROELECTRONICS - STF26NM60N - 场效应管 MOSFET N沟道 600V 20A TO220FP STMICROELECTRONICS - STF26NM60N - 场效应管 MOSFET N沟道 600V 20A TO220FP
  • 晶体管极性:N Channel
  • 开态电阻, Rds(on):0.135ohm
  • 工作温度范围:-55°C to +150°C
  • 封装类型:TO-220FP
  • 封装类型:TO-220FP
  • 晶体管类型:Power MOSFET
  • 电压 Vgs @ Rds on 测量:10V
  • 电压, Vds 典型值:600V
  • 电流, Id 连续:10A
  • 表面安装器件:通孔安装
  • 阈值电压, Vgs th 典型值:3V
  • 上海 0
    新加坡 0
    英国1
    1 1 询价,无需注册 订购
    STMICROELECTRONICS - STP13NM60N - 场效应管 MOSFET N沟道 600V 11A TO220 STMICROELECTRONICS - STP13NM60N - 场效应管 MOSFET N沟道 600V 11A TO220
  • 晶体管极性:N Channel
  • 开态电阻, Rds(on):0.28ohm
  • 工作温度范围:-55°C to +150°C
  • 封装类型:TO-220
  • 封装类型:TO-220
  • 晶体管类型:Power MOSFET
  • 电压 Vgs @ Rds on 测量:10V
  • 电压, Vds 典型值:600V
  • 电流, Id 连续:5.5A
  • 表面安装器件:通孔安装
  • 阈值电压, Vgs th 典型值:3V
  • 上海 0
    新加坡 0
    英国50
    1 1 询价,无需注册 订购
    STMICROELECTRONICS - STF13NM60N - 场效应管 MOSFET N沟道 600V 11A TO220FP STMICROELECTRONICS - STF13NM60N - 场效应管 MOSFET N沟道 600V 11A TO220FP
  • 晶体管极性:N Channel
  • 开态电阻, Rds(on):0.28ohm
  • 工作温度范围:-55°C to +150°C
  • 封装类型:TO-220FP
  • 封装类型:TO-220FP
  • 晶体管类型:Power MOSFET
  • 电压 Vgs @ Rds on 测量:10V
  • 电压, Vds 典型值:600V
  • 电流, Id 连续:5.5A
  • 表面安装器件:通孔安装
  • 阈值电压, Vgs th 典型值:3V
  • 上海 0
    新加坡 0
    英国50
    1 1 询价,无需注册 订购
    STMICROELECTRONICS - STD13NM60N - 场效应管 MOSFET N沟道 600V 11A DPAK STMICROELECTRONICS - STD13NM60N - 场效应管 MOSFET N沟道 600V 11A DPAK
  • 晶体管极性:N Channel
  • 开态电阻, Rds(on):0.28ohm
  • 工作温度范围:-55°C to +150°C
  • 封装类型:DPAK
  • 封装类型:DPAK
  • 晶体管类型:Power MOSFET
  • 电压 Vgs @ Rds on 测量:10V
  • 电压, Vds 典型值:600V
  • 电流, Id 连续:5.5A
  • 表面安装器件:表面安装
  • 阈值电压, Vgs th 典型值:3V
  • 上海 0
    新加坡 0
    英国2265
    1 1 询价,无需注册 订购
    STMICROELECTRONICS - STK38N3LLH5 - 场效应管 MOSFET N沟道 30V 38A POLARPAK STMICROELECTRONICS - STK38N3LLH5 - 场效应管 MOSFET N沟道 30V 38A POLARPAK
  • 晶体管极性:N Channel
  • 开态电阻, Rds(on):1.3mohm
  • 工作温度范围:-55°C to +150°C
  • 封装类型:PolarPAK
  • 封装类型:PolarPAK
  • 晶体管类型:Power MOSFET
  • 电压 Vgs @ Rds on 测量:10V
  • 电压, Vds 典型值:30V
  • 电流, Id 连续:19A
  • 表面安装器件:表面安装
  • 阈值电压, Vgs th 典型值:2.5V
  • 上海 0
    新加坡 0
    英国2929
    1 1 询价,无需注册 订购
    STMICROELECTRONICS - STB50N25M5 - 场效应管 MOSFET N沟道 250V 28A D2PAK STMICROELECTRONICS - STB50N25M5 - 场效应管 MOSFET N沟道 250V 28A D2PAK
  • 晶体管极性:N Channel
  • 开态电阻, Rds(on):0.055ohm
  • 工作温度范围:-55°C to +150°C
  • 封装类型:D2PAK
  • 封装类型:D2PAK
  • 晶体管类型:Power MOSFET
  • 电压 Vgs @ Rds on 测量:10V
  • 电压, Vds 典型值:250V
  • 电流, Id 连续:14A
  • 表面安装器件:表面安装
  • 阈值电压, Vgs th 典型值:4V
  • 上海 0
    新加坡 0
    英国982
    1 1 询价,无需注册 订购
    VISHAY GENERAL SEMICONDUCTOR - V10P10-M3/86A - 肖特基整流二极管 VISHAY GENERAL SEMICONDUCTOR - V10P10-M3/86A - 肖特基整流二极管
  • 二极管类型:Schottky
  • 电压, Vrrm:100V
  • 电流, If 平均:10A
  • 正向电压 Vf 最大:620mV
  • 电流, Ifs 最大:180A
  • 工作温度范围:-40°C to +150°C
  • 封装形式:TO-277A
  • 针脚数:3
  • 封装类型:TO-277A
  • 电流, Ifsm:180A
  • 结温, Tj 最高:150°C
  • 表面安装器件:表面安装
  • 上海 0
    新加坡 0
    英国1447
    1 1 询价,无需注册 订购
    VISHAY GENERAL SEMICONDUCTOR - SMCJ30A-E3/57T - 二极管 TVS 1.5KW 30V 单向 SMC VISHAY GENERAL SEMICONDUCTOR - SMCJ30A-E3/57T - 二极管 TVS 1.5KW 30V 单向 SMC
  • 封装形式:SMC
  • 针脚数:2
  • 二极管类型:TVS, Unidirectional
  • 封装类型:SMC
  • 工作温度范围:-55°C to +150°C
  • 截止电压:30V
  • 电压 Vbr:33.3V
  • 脉冲峰值功率:1.5kW
  • 表面安装器件:表面安装
  • 上海5
    新加坡75
    英国 0
    1 1 询价,无需注册 订购
    SANYO - VEC2305-TL-E - 场效应管 双MOSFET PP沟道 18V 2.5A VEC8 SANYO - VEC2305-TL-E - 场效应管 双MOSFET PP沟道 18V 2.5A VEC8
  • 晶体管极性:Dual P Channel
  • ???极电流, Id 最大值:2.5A
  • 电压, Vds 最大:12V
  • 开态电阻, Rds(on):115mohm
  • 电压 @ Rds测量:4.5V
  • 阈值电压, Vgs th 典型值:1V
  • 功耗:1W
  • 工作温度范围:-55°C to +150°C
  • 封装类型:VEC8
  • 针脚数:8
  • 封装类型:VEC8
  • 晶体管类型:Switching
  • 表面安装器件:表面安装
  • 电压 Vgs @ Rds on 测量:4.5V
  • 电压, Vds 典型值:18V
  • 电压, Vgs 最高:8V
  • 电流, Id 连续:1.5A
  • 上海 0
    新加坡 0
    英国100
    1 1 询价,无需注册 订购
    SANYO - VEC2303-TL-E - 场效应管 双MOSFET PP沟道 12V 4A VEC8 SANYO - VEC2303-TL-E - 场效应管 双MOSFET PP沟道 12V 4A VEC8
  • 晶体管极性:Dual P Channel
  • 漏极电流, Id 最大值:4A
  • 电压, Vds 最大:12V
  • 开态电阻, Rds(on):49mohm
  • 电压 @ Rds测量:4.5V
  • 阈值电压, Vgs th 典型值:1V
  • 功耗:1W
  • 工作温度范围:-55°C to +150°C
  • 封装类型:VEC8
  • 针脚数:8
  • 封装类型:VEC8
  • 晶体管类型:Switching
  • 表面安装器件:表面安装
  • 电压 Vgs @ Rds on 测量:4.5V
  • 电压, Vds 典型值:12V
  • 电压, Vgs 最高:8V
  • 电流, Id 连续:2A
  • 上海 0
    新加坡 0
    英国97
    1 1 询价,无需注册 订购
    SANYO - VEC2301-TL-E - 场效应管 双MOSFET PP沟道 20V 3A VEC8 SANYO - VEC2301-TL-E - 场效应管 双MOSFET PP沟道 20V 3A VEC8
  • 晶体管极性:Dual P Channel
  • 漏极电流, Id 最大值:3A
  • 电压, Vds 最大:20V
  • 开态电阻, Rds(on):81mohm
  • 电压 @ Rds测量:4.5V
  • 阈值电压, Vgs th 典型值:1.3V
  • 功耗:1W
  • 工作温度范围:-55°C to +150°C
  • 封装类型:VEC8
  • 针脚数:8
  • 封装类型:VEC8
  • 晶体管类型:Switching
  • 表面安装器件:表面安装
  • 电压 Vgs @ Rds on 测量:4.5V
  • 电压, Vds 典型值:20V
  • 电压, Vgs 最高:10V
  • 电流, Id 连续:2A
  • 上海 0
    新加坡 0
    英国100
    1 1 询价,无需注册 订购
    SANYO - SCH2315-TL-E - 场效应管 双MOSFET PP沟道 12V 0.9A SCH6 SANYO - SCH2315-TL-E - 场效应管 双MOSFET PP沟道 12V 0.9A SCH6
  • 晶体管极性:Dual P Channel
  • 漏极电流, Id 最大值:0.9A
  • 电压, Vds 最大:12V
  • 开态电阻, Rds(on):615mohm
  • 电压 @ Rds测量:4.5V
  • 阈值电压, Vgs th 典型值:1V
  • 功耗:650mW
  • 工作温度范围:-55°C to +150°C
  • 封装类型:SCH6
  • 针脚数:6
  • 封装类型:SCH6
  • 晶体管类型:Switching
  • 表面安装器件:表面安装
  • 电压 Vgs @ Rds on 测量:4.5V
  • 电压, Vds 典型值:12V
  • 电压, Vgs 最高:8V
  • 电流, Id 连续:0.5A
  • 上海 0
    新加坡 0
    英国100
    1 1 询价,无需注册 订购
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